王本忠
- 作品数：24 被引量：16H指数：3
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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- 高性能InP/InP、InGaAs/InP体材料LP-MOCVD生长
- 1997年
- 给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．
- 刘宝林黄美纯陈松岩陈龙海陈朝王本忠王本忠刘式墉
- 关键词：MOCVD铟镓砷磷化铟
- 带有非应变盖层的应变外延层的稳定性
- 1999年
- 本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性．针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点，本文提出了一种混合扭结模型，即在盖层小于某值时，应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释放．从我们的公式出发，也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式，从而使单双扭结模型统一起来．而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况，这对于描述外延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义．
- 金智杨树人安海岩马春生王本忠刘式墉
- 关键词：稳定性
- GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
- 1995年
- 提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。
- 陈松岩李玉东王本忠张玉贤刘式墉刘悦
- 关键词：复合材料金属半导体场效应晶体管
- LP-MOCVD法制备高质量InP薄膜被引量：1
- 1993年
- 本文报导以国产三甲基铟(TMIn)和进口的磷烷(PH_3)为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法,在InP衬底上生长高质量InP的工艺条件以及外延层的电学特性和光学特性.
- 陈佰军杨树人刘宝林王本忠刘式墉
- 关键词：LP-MOCVD磷化铟
- MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究被引量：1
- 1997年
- 首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。
- 陈龙海刘宝林陈松岩陈朝黄美纯王本忠赵方海刘式墉
- 关键词：MOCVD化合物半导体
- 低阈值量子结构激光器的优化结构设计被引量：1
- 1999年
- 针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器），包括量子阱、量子线和量子点结构，给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系，并且以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ量子阱激光器和ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组装量子点结构激光器为例，分别计算了为得到最低阈值电流所需要的量子阱阱数和自组装量子点的面密度以及激光器的腔长。
- 彭宇恒高强李军王本忠陈维友刘式墉
- 关键词：自组装量子点激光器
- GaAs/InP材料的外延技术研究
- 1993年
- 李玉东王本忠王如峰刘式墉苏士昌
- 关键词：砷化镓衬底
- LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响被引量：3
- 1993年
- 众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1～1.8μm内任意波长发射,并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm～1.65μm,因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。虽然利用液相外延巳生长出高质量的InGaAs/InP材料,但是,
- 刘宝林杨树人陈佰军王本忠刘式墉
- 关键词：化学汽相沉积
- 用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列被引量：4
- 1998年
- 提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法，通过低压ＭＯＣＶＤ技术在ＩｎＰ衬底上利用ＧａＡｓ张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的ＩｎＡｓ岛状结构．
- 王本忠赵方海彭宇恒刘式墉
- 关键词：砷化铟磷化铟MOCVD砷化镓
- LP－MOCVD生长InGaAs／InP应变量子阱的研究被引量：3
- 1994年
- 本文研究了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ对不同ｘ值的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ／ＩｎＰ生长条件，并且生长了压缩应变为０．５％三个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，利用７７ＫＰＬ光谱分析了能级同阱宽的关系，实现最窄阱宽为４．４ｎｍ，最小全半高峰宽为１７．０ｍｅｖ。
- 刘宝林杨树人陈佰军王本忠刘式墉
- 关键词：化学汽相沉积
