安海岩
- 作品数：15 被引量：10H指数：2
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 应变层量子阱结构稳定性研究
- 该文对应变量子阱结构稳定性进行了理论上的研究和分析.运用并发展了能量平衡模型,在能量平衡模型基础上,作者从整个外延结构与衬底界面上应变驰豫产生单结点失配位错的模型出发,考虑到应变积累效及失配位错对整个结构的应用变能和残余...
- 安海岩
- 关键词：稳定性应变量子阱激光器
- 短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长被引量：1
- 1994年
- 本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。
- 安海岩杨树人秦福文王本忠刘式墉
- 关键词：激光器
- 带有非应变盖层的应变外延层的稳定性
- 1999年
- 本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性．针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点，本文提出了一种混合扭结模型，即在盖层小于某值时，应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释放．从我们的公式出发，也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式，从而使单双扭结模型统一起来．而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况，这对于描述外延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义．
- 金智杨树人安海岩马春生王本忠刘式墉
- 关键词：稳定性
- 汽车钢板漆前磷化处理工艺及机理的研究
- 安海岩
- 非应变盖层对应变结构中净应力的影响
- 1999年
- 分析了应变外延层中非应变盖层厚度和在应变层上下界面的失配位错数目差对净应力的影响 ,对现有的单结点和双结点位错模型的净应力的表达式进行了修正 ,得到一个能将单、双结点模型统一起来且对任意盖层厚度都适用的表达式 .
- 金智杨树人马春生安海岩王本忠刘式墉
- 关键词：位错
- 非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布
- 1999年
- 利用连续介质模型，计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量．引入上下界面失配位错数目的比例因子η，利用能量最低原理，求得η的表达式．研究表明，失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关．随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加，失配位错在上界面的数目增多。
- 金智杨树人王本忠孙洪波安海岩刘式墉
- 关键词：失配位错半导体
- 应变多量子阱激光器的结构稳定性
- 1999年
- 通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫，讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力，是应变多量子阱稳定的重要判据。因此，用单结点模型计算了应变多量子阱结构中的净应力。计算结果表明，净应力的最大值在应变多量子阱结构中的位置与阱层和垒层的厚度以及阱层的失配有关，非应变垒层和盖层能在一定程度上稀释净应力。在此基础上，利用动力学模型计算了应变多量子阱的应变弛豫。
- 金智杨树人安海岩刘式墉
- 关键词：应变多量子阱应变弛豫
- InGaAs／InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究
- 1995年
- 报道了利用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术生长高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果．宽而激光器实现了室温脉冲受激发射．激射波长为１．４９μｍ，在腔长为２０００μｍ时，最低阈值电流密度为０．３０ｋＡｃｍ－２．最大脉冲光输出峰值功率达５００ｍＷ以上．同时，从理论和实验上研究了阙值电流及阙值电流密度随激光器腔长的变化关系，并与ＬＰ－ＭＯＶＰＥ生长制作的宽面双异质结构激光器进行了比较．
- 安海岩杨树人李玉东胡礼中刘式墉
- 关键词：量子阱激光器INGAASINGAASP激光器
- 位错间的相互作用对应变外延层应变释放的影响
- 1998年
- 利用D-T模型考虑了界面位借间的相互作用,计算了外延层与材底为不同失配、不同厚度时,应变的释放。发现由于失配产生的位错,在外延层应变释放的初期,主要是靠产生60°位错来释放应变;而在产生较多的位错后,位错间的相互作用将导致外延展的应变释放过程缓慢,此时要考虑90°位错对应变释释放所造成的影响;并对已有的实验结果进行了一些解释。
- 金智杨树人安海岩王本忠赵方海刘式墉
- 关键词：失配位错
- LP—MOCVD研制InGaAs／InP应变量子阱LD被引量：1
- 1996年
- 本文指出在ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长过程中，采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ—ｎ结结位，给出了采用ＤＥＺｎ和Ｈ＿２Ｓ做掺杂源在ＩｎＰ材料中ｐ型和ｎ型杂质溶度和ｐ－ｎ结控制的条件，并研制出有源区阱层ＩｎＧａＡｓ与ＩｎＰ存在０．５％压缩应变量子阱激光器，这一结构ＬＤ实现室温脉冲激射，得到峰值功率为１０６ｍＷ以上，阈值电流密度为２．６ｋＡ／ｃｍ２。
- 刘宝林杨树人陈伯军王本忠安海岩秦福文刘式墉
- 关键词：MOCVD激光器INGAAS
