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查祎英

作品数：9 被引量：7H指数：2
供职机构：北京工业大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇二极管
  • 3篇功率半导体
  • 3篇半导体
  • 2篇增强型
  • 2篇碳化硅
  • 2篇结型
  • 2篇结型场效应
  • 2篇结型场效应晶...
  • 2篇晶体管
  • 2篇高压二极管
  • 2篇功率半导体器...
  • 2篇功率模块
  • 2篇半导体器件
  • 2篇SIC
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇电场
  • 1篇电场线
  • 1篇电流
  • 1篇硬开关

机构

  • 9篇北京工业大学

作者

  • 9篇查祎英
  • 6篇胡冬青
  • 4篇高一星
  • 4篇李兴鲁
  • 3篇吴郁
  • 1篇贾云鹏
  • 1篇周新田

传媒

  • 5篇电力电子
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电源世界

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
1200V增强型碳化硅纵向结型场效应晶体管功率模块
2011年
最近的模块研发工作已经生产出封装在SP1模组中的快速开关,1200V、13mΩ、增强型SiC JFET半桥模块。这些模块由36mm^2 SiC VJFET和23mm^2肖特基管的并联组合而成。在I_D=100A条件下,获得2.7mΩ-cm^2的比导通电阻。开关测试采用了标准的双脉冲感性负载电路,在600V、100 A、温度分别为25℃和150℃的条件下,得到了历史最低的总开关损耗——100A、150℃下为1.25mJ。本文详细介绍测试的开关性能、所采用的栅极驱动电路,以及获得这些结果推荐使用的缓冲器。
李兴鲁查祎英胡冬青
关键词：SIC栅极驱动开关损耗
提高3.3kV功率快恢复二极管动态雪崩耐量的仿真研究
在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以功率半导体器件为基础的现代电力电子技术在电力、输运、交通、照明、工业制造和医疗设备等领域发挥着极其重要的作用。在诸多应用场合，例如桥式电路，半导体功率开关器件需要反并联一...
查祎英
关键词：功率半导体器件高压二极管
文献传递
额定电流3200A的10kV HPT IGCT——大功率半导体发展的一个新的里程碑
2010年
本文介绍了一种新研发的10kV集成栅控晶闸管(IGCT)芯片,其耐压和电流容量是目前市场上可用IGCT中最大的。这种器件在GCT晶片设计上做了改进,使其电流容量超过3200A。另外,为了避免采用标准高压二极管常遇到的反向促恢复问题,还研发了一种与IGCT相匹配的10kV快恢复二极管。
高一星查祎英胡冬青
关键词：IGCT高压二极管大功率半导体
1200V增强型碳化硅纵向结型场效应晶体管功率模块
2011年
最近的模块研发工作已经生产出封装在SP1模组中的快速开关、1200V、13mΩ、增强型SiC JFET半桥模块。这些模块由36mm^2SiC VJFET和23mm^2肖特基管的并联组合而成。在ID=100A条件下,获得2.7mΩ-cm^2的比导通电阻。开关测试采用了标准的双脉冲感性负载电路,在600 V、100A、温度分别为25℃和150℃的条件下,得到了历史最低的总开关损耗——100A、150℃下为1.25mJ。本报告详细介绍测试对开关性能、所采用的栅极驱动电路,以及获得这些结果推荐使用的缓冲器。
Robin SchraderVlad BondarenkoDavid C.Sheridan查祎英胡冬青
关键词：功率晶体管
适合SiC器件的新型低热阻高可靠性功率模块结构
2011年
研究和开发了能够完全发挥SiC(碳化硅)器件突出性能的新型功率模块结构。这种新结构由于使用新型铜针连接技术可以实现更高的功率密度,且与传统铝引线键合结构相比,具有更低的热阻。与此同时,采用了环氧树脂模具结构,使得新模块结构具有高可靠性。制备并测试了几种SiC模块来验证这一新结构的杰出性能。
Masafumi HorioNorihiro NashidaYuji lizukaYoshinari IkedaYoshikazu Takahashi查祎英李兴鲁胡冬青
关键词：SIC
高压IGBT的动态雪崩问题被引量：2
2012年
本文综述了高压IGBT的动态雪崩问题,涉及IGBT动态雪崩的概念、复杂性、失效机理和应对措施等。对这些问题的了解和掌握,对于设计制造坚固性强的高压IGBT是至关重要的。
李兴鲁吴郁查祎英高一星
关键词：IGBT
一种具有浮岛耦合垂直场板保护的SiC基槽栅MOSFET结构
一种具有浮岛耦合垂直场板保护的SiC基槽栅MOSFET结构涉及功率半导体器件技术领域，在普通MOSFET结构基础上设置了深槽，深槽外边到栅槽内边间距均匀相等且控制在1‑3微米之间，深槽深度比栅槽深2‑10微米且与浅槽平行...
王旺达胡冬青查祎英贾云鹏吴郁周新田
文献传递
一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件
2010年
新型CoolMOS^(TM) 650V CFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的R_(dson)、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Q_(rr)和t_(rr)的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这种具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。
G.AloiseM.-A.KutschakD.Zipprick H.KapelsA.Ludsteck-Pechloff查祎英高一星胡冬青
关键词：硬开关功率MOSFETCFD技术阻断电压
快恢复二极管动态雪崩问题及技术发展被引量：3
2012年
综述了硅高压功率快恢复二极管抗动态雪崩技术的发展,包括快恢复二极管发生3种不同程度的动态雪崩的过程和原理,提高了快恢复二极管动态雪崩抗性的技术,完善其原理,并对其优点与不足进行了分析。
查祎英吴郁李兴鲁高一星
关键词：二极管功率器件
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