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杨庚雨

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...

主题

  • 11篇电路
  • 11篇存储器
  • 8篇电压
  • 6篇晶体管
  • 5篇纳米
  • 4篇电阻
  • 4篇神经元
  • 4篇输出电压
  • 4篇微电子
  • 4篇纳米线
  • 4篇纳米线结构
  • 4篇沟道
  • 4篇并联
  • 3篇多值
  • 2篇单元电路
  • 2篇等差
  • 2篇电报
  • 2篇电压控制
  • 2篇淀积
  • 2篇多晶

机构

  • 23篇北京大学

作者

  • 23篇杨庚雨
  • 22篇黄如
  • 17篇蔡一茂
  • 14篇唐昱
  • 13篇谭胜虎
  • 10篇黄英龙
  • 9篇潘越
  • 9篇张耀凯
  • 8篇陈诚
  • 7篇邹积彬
  • 7篇张丽杰
  • 5篇毛俊
  • 4篇王润声
  • 4篇秦石强
  • 4篇叶乐
  • 4篇樊捷闻
  • 4篇艾玉洁
  • 3篇唐粕人
  • 2篇白文亮
  • 2篇林増明

年份

  • 5篇2014
  • 2篇2013
  • 13篇2012
  • 3篇2011
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管
本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层...
邹积彬黄如王润声杨庚雨艾玉洁樊捷闻
一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法
本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口...
黄如杨庚雨张耀凯陈诚潘越蔡一茂谭胜虎唐昱黄英龙毛俊白文亮
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一种大容量多值阻变存储器
本发明公开了一种大容量多值阻变存储器，属于阻变存储器制备技术领域。该阻变存储器包括上电极和下电极，在上、下电极之间插入多个阻变材料层和缺陷层组合，其中，与上、下电极接触的是阻变材料层(例如Ta<Sub>2</Sub>O<...
黄如杨庚雨谭胜虎唐昱张丽杰潘越蔡一茂黄英龙
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一种快闪存储器及其制备方法和操作方法
本发明公开了一种快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括两个垂直沟道的存储单元，以轻掺杂N型(或P型)硅作为衬底，在硅平面的两端各有一个P+区(或N+区)，中间为两个垂直于硅平面的沟道区域，沟道之上为两个沟道共...
秦石强黄芊芊唐粕人唐昱黄如蔡一茂杨庚雨
一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用
本发明公开了一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用。本发明的电压保护电路包括：电阻连接至运算放大器的一个输入端；运算放大器的另一输入端接地；阻变忆阻器连接在电阻连接至运算放大器的一端与运算放大器的输出端之间；阻变忆阻器...
黄如杨庚雨叶乐张耀凯陈诚蔡一茂
基于神经计算的阻变忆阻器电路及器件研究
数字计算机是二十世纪人类科技文明进步的重要产物,它的影响渗透到人们生活的方方面面。然而,随着计算机工业的发展和微电子产业的进步,人们已经不能满足于现有计算机的功能,高的计算速度、大的存储容量、智能化已成为计算机进一步发展...
杨庚雨
关键词：网络电路芯片设计
一种自路由单元电路及其控制方法
本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条...
黄如杨庚雨蔡一茂潘越谭胜虎张耀凯陈诚黄英龙唐昱
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一种基于多能级杂质改变半导体掺杂特性的半导体存储器
本发明涉及一种半导体存储器，属于半导体器件技术领域。该半导体存储器包括一个N-P-N型或P-N-P-型半导体，其中，在N-P-N型半导体中的一个N型掺杂区或者P型掺杂区中掺入多能级杂质，或在P-N-P-型半导体中的一个P...
杨庚雨黄如唐昱邹积彬
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一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法
本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感...
黄如杨庚雨张丽杰叶乐谭胜虎蔡一茂邹积彬唐昱秦石强
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基于氧化分凝的埋沟结构硅基围栅晶体管及其制备方法
本发明提供了一种埋沟结构硅基围栅晶体管，属于微电子半导体器件领域。该晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区和源漏端外延区，其中，沟道区为硅纳米线结构，包括三层，内部是圆柱形的沟道区下层，包裹在其外的两层分别是沟道区和...
邹积彬黄如王润声杨庚雨艾玉洁樊捷闻
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