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黄如

作品数：1,112 被引量：349H指数：11
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 967篇专利
  • 127篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 5篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 260篇电子电信
  • 143篇自动化与计算...
  • 16篇文化科学
  • 10篇一般工业技术
  • 9篇理学
  • 4篇经济管理
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 293篇电路
  • 265篇晶体管
  • 180篇存储器
  • 172篇集成电路
  • 171篇场效应
  • 167篇场效应晶体管
  • 159篇沟道
  • 112篇半导体
  • 103篇纳米
  • 103篇衬底
  • 78篇大规模集成电...
  • 74篇超大规模集成
  • 74篇超大规模集成...
  • 61篇功耗
  • 59篇电极
  • 57篇纳米线
  • 56篇电压
  • 56篇淀积
  • 56篇网络
  • 51篇低功耗

机构

  • 1,092篇北京大学
  • 13篇华东理工大学
  • 5篇东南大学
  • 5篇上海交通大学
  • 3篇解放军理工大...
  • 3篇江苏理工大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇浙江大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇香港科技大学
  • 2篇国家自然科学...
  • 2篇中国科学院微...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇北京大学第三...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇首都医科大学...

作者

  • 1,112篇黄如
  • 320篇张兴
  • 203篇王阳元
  • 192篇蔡一茂
  • 154篇黄芊芊
  • 128篇黎明
  • 121篇王润声
  • 113篇安霞
  • 91篇王宗巍
  • 88篇廖怀林
  • 63篇樊捷闻
  • 59篇傅云义
  • 59篇杨玉超
  • 43篇吴春蕾
  • 40篇叶乐
  • 40篇詹瞻
  • 38篇魏子钧
  • 38篇陈诚
  • 36篇唐昱
  • 36篇许晓燕

传媒

  • 46篇Journa...
  • 13篇电子学报
  • 10篇中国科学：信...
  • 6篇北京大学学报...
  • 4篇固体电子学研...
  • 4篇华东理工大学...
  • 3篇物理学报
  • 3篇中国科学（E...
  • 3篇微电子学
  • 3篇第十二届全国...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇物理
  • 2篇中国科学基金
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇Transa...
  • 2篇传感器与微系...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇系统工程与电...
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇半导体情报

年份

  • 42篇2024
  • 80篇2023
  • 48篇2022
  • 30篇2021
  • 41篇2020
  • 42篇2019
  • 25篇2018
  • 44篇2017
  • 58篇2016
  • 50篇2015
  • 65篇2014
  • 85篇2013
  • 123篇2012
  • 85篇2011
  • 52篇2010
  • 18篇2009
  • 36篇2008
  • 30篇2007
  • 26篇2006
  • 35篇2005
共 1,112 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种垂直沟道的纳米线生物传感器的集成方法
本发明提供一种垂直沟道纳米线生物传感器的集成方法，属于半导体制造技术领域。该方法结合刻蚀通孔、外延沟道、各向同性去除假栅层以实现垂直沟道的纳米线生物传感器的集成。本发明与传统的水平沟道结构相比，生物分子在溶液中进行布朗运...
黎明陈珙杨远程黄如
调制器的调制方法
本发明提供一种SIGMA－DELTA调制器的调制方法，属于模—数转换和小数分频频率综合器的应用领域。该方法与现有技术不同在于，将SIGMA－DELTA调制器的输出信号通过反馈电路反馈回SIGMA－DELTA调制器中。本发...
刘军华石浩张国艳廖怀林黄如张兴
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垂直沟道场效应晶体管及制备方法
本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n<Sup>－</Sup>区，在源端与沟...
刘金华刘文安黄如张兴
文献传递
一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其制作方法
本发明提供了一种自对准的源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管结构。该MOS器件有一个薄的沟道区和厚的源漏区。沟道区位于绝缘衬底的隐埋介质层的表面，源漏区位于沟道区两端并下陷于隐埋介质层中。这样，源漏区为低阻硅化物的生成提...
张盛东陈文新张志宽黄如韩汝琦
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一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法
本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感...
黄如杨庚雨张丽杰叶乐谭胜虎蔡一茂邹积彬唐昱秦石强
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一种一维到三维边界热阻的测试结构和方法
本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法，该方法利用一种简单的测试结构，该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分，长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R<Su...
黄如林增明王润声邹积彬李佳许晓燕
一种隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管包括：半导体衬底；第一沟道区和第二沟道区；第一栅叠层区；第二栅叠层区；第一源区；漏区；第二源区；第一栅叠层区中的第一导电层和第二栅叠层区中的第二导电层在沟道区外相连...
黄如邱颖鑫詹瞻黄芊芊毛翔
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一种鞘层沟道结构的垂直纳米线器件及其制备方法
本发明公布了一种鞘层沟道结构的垂直纳米线器件及其制备方法，结合刻蚀通孔、淀积沟道材料、填充二氧化硅，获得集成的鞘层沟道结构垂直纳米线器件；包括：提供一半导体衬底，实现器件隔离；形成重掺杂的下有源区；淀积假栅叠层；通过刻蚀...
黎明陈珙杨远程黄如
一种基于标准单栅CMOS工艺的EEPROM
本发明公开了一种基于标准单栅CMOS工艺的EEPROM，属于集成电路领域。本发明包括一MOS管，所述MOS管上部覆盖有N层金属层，第N层金属层上设有一电容结构，第N层金属层覆盖所述电容结构的底部；第N层金属层包括电隔离的...
叶乐王逸潇廖怀林黄如
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一种基于Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se的台阶状垂直方向器件及其制备方法和应用
本发明公开了一种基于Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se的台阶状垂直方向器件及其制备方法和应用。所述基于Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se的台阶状垂直方向两端器件是通过选择性...
黎明蔡其峰谭聪伟彭海琳贺明张兴黄如
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