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黎明

作品数：135 被引量：46H指数：4
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 124篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 41篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理

主题

  • 42篇晶体管
  • 28篇电路
  • 28篇集成电路
  • 24篇沟道
  • 21篇大规模集成电...
  • 19篇半导体
  • 19篇场效应
  • 19篇场效应晶体管
  • 18篇锗
  • 17篇纳米
  • 17篇超大规模集成
  • 17篇超大规模集成...
  • 16篇淀积
  • 15篇纳米线
  • 15篇刻蚀
  • 14篇存储器
  • 13篇导体
  • 13篇半导体结构
  • 11篇突触
  • 10篇迁移率

机构

  • 134篇北京大学
  • 2篇复旦大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇国家自然科学...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 134篇黎明
  • 124篇黄如
  • 34篇张兴
  • 34篇杨远程
  • 32篇陈珙
  • 27篇安霞
  • 24篇樊捷闻
  • 18篇林猛
  • 14篇王润声
  • 13篇张昊
  • 13篇蔡一茂
  • 10篇李敏
  • 9篇刘朋强
  • 7篇云全新
  • 7篇李佳
  • 6篇王阳元
  • 6篇许晓燕
  • 6篇李海霞
  • 5篇潘越
  • 5篇彭海琳

传媒

  • 4篇中国科学：信...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学基金
  • 1篇微纳电子与智...
  • 1篇第七届中国语...

年份

  • 6篇2024
  • 13篇2023
  • 6篇2022
  • 8篇2021
  • 7篇2020
  • 8篇2019
  • 6篇2018
  • 14篇2017
  • 21篇2016
  • 12篇2015
  • 10篇2014
  • 9篇2013
  • 6篇2012
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2003
共 135 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种适于锗基器件的界面处理方法
本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法，属于超大规模集成电路（ULSI）工艺制造技术领域。该方法采用15%～36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层，然后用5%～10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化，在表面形成一...
黄如李敏安霞黎明林猛张兴
文献传递
一种半导体结构及其形成方法
一种半导体结构，包括：一半导体衬底，多层超细硅线条，所述的多层超细硅线条的界面形状受衬底晶向和线条轴向晶向双重控制。形成方法包括：通过刻蚀工艺形成鱼鳍状硅岛Fin及其两端的源漏区；制备硅的腐蚀掩蔽层；形成多层超细硅线条。...
黎明杨远程樊捷闻宣浩然张昊黄如
文献传递
一种垂直纳米线晶体管的集成方法
本发明公开了一种垂直纳米线晶体管的集成方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法结合图形化外延和侧壁替代栅以实现垂直纳米线晶体管集成，与现有的通过刻蚀形成垂直纳米线沟道的方法相比，能...
黎明杨远程陈珙樊捷闻张昊黄如
文献传递
实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法
本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺...
黎明李敏黄如安霞张兴
一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法。首先在Fin条底部、顶部和侧壁形成锗扩散阻挡层，对锗硅Fin条进行氧化，利用锗硅在氧化硅上氧化时趋于形成纳米线结构的特点，在Fin条顶部和底部分别形成纳米线结...
安霞张冰馨胡向阳黎明黄如张兴
文献传递
半导体结构及其制备方法
本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，其中，半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，第一有源结构是由沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转衬底并去除衬底，以暴露沟道结构...
吴恒王志灏葛延栋卢浩然王润声黎明黄如
一种实现半导体器件隔离的方法
本发明公开了一种实现集成电路中半导体器件隔离的方法，该方法结合热氧化与淀积技术，先形成半导体器件的有源区；然后填充高深宽比间隙形成窄STI隔离；最后再填充低深宽比间隙形成宽STI隔离。本发明的优点如下：无论对于微米尺度的...
黎明陈珙杨远程樊捷闻张昊黄如
文献传递
一种锗基CMOS的制备方法
本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0<x≤2)钝化层...
黎明林猛黄如安霞张冰馨赵阳郝培霖张兴
文献传递
一种带栅极调控的垂直纳米线生物传感器的集成方法
本发明提供一种带栅极调控的垂直沟道纳米线生物传感器的集成方法，属于半导体制造技术领域。该方法结合刻蚀通孔、外延沟道以实现垂直沟道的纳米线生物传感器的集成。本发明与传统的水平沟道结构相比，生物分子在溶液中进行布朗运动时对纳...
黎明陈珙杨远程黄如
一种凹型电荷俘获层突触晶体管及其制备方法
本发明公开了一种凹型电荷俘获层突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明采用的凹型电荷俘获层结构便于通过首次编程将电荷隧穿到俘获层，而后通过若编程的方式改变电荷俘获位置的方式来降低操作电压；...
黎明李小康李海霞陈珙黄如
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