2024年8月21日
星期三
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
黄英龙
作品数:
22
被引量:0
H指数:0
供职机构:
北京大学
更多>>
相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
更多>>
合作作者
黄如
北京大学
蔡一茂
北京大学
谭胜虎
北京大学
杨庚雨
北京大学
潘越
北京大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
21篇
专利
1篇
学位论文
领域
4篇
自动化与计算...
3篇
电子电信
主题
16篇
存储器
7篇
电极
6篇
电路
5篇
淀积
4篇
电压
4篇
电阻
4篇
神经元
4篇
集成度
4篇
并联
3篇
氧化物
3篇
金属
3篇
金属氧化物
3篇
多值
2篇
单元电路
2篇
等差
2篇
电极结构
2篇
电流开关
2篇
电压控制
2篇
电子波
2篇
电子波函数
机构
22篇
北京大学
作者
22篇
黄英龙
21篇
黄如
19篇
蔡一茂
13篇
谭胜虎
10篇
潘越
10篇
杨庚雨
9篇
唐昱
8篇
毛俊
7篇
张耀凯
6篇
陈诚
5篇
张丽杰
4篇
白文亮
4篇
王阳元
3篇
潘岳
2篇
李志强
2篇
云全新
2篇
林増明
2篇
郭岳
2篇
罗长宝
2篇
安霞
年份
2篇
2015
4篇
2014
4篇
2013
10篇
2012
2篇
2011
共
22
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种阻变存储器及其制备方法
本发明提出一种具有抑制漏电特性的阻变存储器及其制备方法,可以抑制大规模RRAM十字交叉阵列中的Sneak电流。组成该阻变存储器的存储单元包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极...
黄如
黄英龙
蔡一茂
王阳元
余牧溪
文献传递
一种自路由单元电路及其控制方法
本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中,前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路,具有两条以上并联的支路,每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成,每条...
黄如
杨庚雨
蔡一茂
潘越
谭胜虎
张耀凯
陈诚
黄英龙
唐昱
一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法,属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入M...
李志强
郭岳
安霞
云全新
黄英龙
黄如
张兴
文献传递
一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔,小孔的方向可以是垂直的,可以是水平的,也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小...
黄如
杨庚雨
孙帅
谭胜虎
张丽杰
黄英龙
张耀凯
唐昱
潘越
蔡一茂
毛俊
文献传递
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底、上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料,其中下电极中部向上凸起成尖峰状,而上电极为平板状,尖峰结构的下电极降低了器件功耗。其制备方法是通过腐蚀在衬底表面形...
黄英龙
蔡一茂
黄如
王阳元
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法,属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N<Sup>+</Sup>离子,制备出氮氧化合物阻变材料层,利用N<Sup>+</Sup>的移动实现空位导电通道的形成和断...
黄如
谭胜虎
毛俊
蔡一茂
潘岳
杨庚雨
唐昱
黄英龙
林増明
罗长宝
一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法
本发明公开了一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法。本发明的控制方法在神经元电路里,阻变忆阻器的两个端口分别和MOS晶体管的漏端和源端相连,组成并联结构,并分别连接于前神经元和后神经元,在MOS晶体管的栅端加上栅电压...
黄如
杨庚雨
张耀凯
张丽杰
陈诚
潘越
蔡一茂
黄英龙
谭胜虎
文献传递
一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法
本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括:n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1,n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器,n个阻变存储器通过n-1个端口...
黄如
杨庚雨
张耀凯
陈诚
潘越
蔡一茂
谭胜虎
唐昱
黄英龙
毛俊
白文亮
文献传递
一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法,属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入M...
李志强
郭岳
安霞
云全新
黄英龙
黄如
张兴
一种阻变存储器及其制备方法
本发明提出一种具有抑制漏电特性的阻变存储器及其制备方法,可以抑制大规模RRAM十字交叉阵列中的Sneak电流。组成该阻变存储器的存储单元包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极...
黄如
黄英龙
蔡一茂
王阳元
余牧溪
文献传递
全选
清除
导出
共3页
<
1
2
3
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张