您的位置： 专家智库 > >

谭胜虎

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信

主题

  • 15篇存储器
  • 10篇电路
  • 6篇电压
  • 4篇电极
  • 4篇神经元
  • 4篇沟道
  • 4篇并联
  • 3篇淀积
  • 3篇闪存
  • 3篇快闪存储器
  • 3篇多值
  • 3篇编程
  • 2篇单元电路
  • 2篇等差
  • 2篇电极结构
  • 2篇电压控制
  • 2篇电阻
  • 2篇神经网
  • 2篇神经网络
  • 2篇神经网络系统

机构

  • 21篇北京大学

作者

  • 21篇谭胜虎
  • 20篇黄如
  • 19篇蔡一茂
  • 14篇唐昱
  • 13篇黄英龙
  • 13篇潘越
  • 13篇杨庚雨
  • 9篇张丽杰
  • 8篇毛俊
  • 7篇张耀凯
  • 6篇陈诚
  • 5篇秦石强
  • 4篇唐粕人
  • 3篇潘岳
  • 2篇邹积彬
  • 2篇白文亮
  • 2篇林増明
  • 2篇叶乐
  • 2篇罗长宝
  • 2篇黄欣

年份

  • 5篇2014
  • 2篇2013
  • 14篇2012
共 21 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种自路由单元电路及其控制方法
本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条...
黄如杨庚雨蔡一茂潘越谭胜虎张耀凯陈诚黄英龙唐昱
一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔，小孔的方向可以是垂直的，可以是水平的，也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小...
黄如杨庚雨孙帅谭胜虎张丽杰黄英龙张耀凯唐昱潘越蔡一茂毛俊
文献传递
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N<Sup>+</Sup>离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N<Sup>+</Sup>的移动实现空位导电通道的形成和断...
黄如谭胜虎毛俊蔡一茂潘岳杨庚雨唐昱黄英龙林増明罗长宝
一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法
本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口...
黄如杨庚雨张耀凯陈诚潘越蔡一茂谭胜虎唐昱黄英龙毛俊白文亮
文献传递
一种阻变存储器的制备方法
本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：在衬底上制备底电极；然后采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化，形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物，作为阻变材料层；最后在上述阻变材料层上制备顶电极。本发...
黄如谭胜虎张丽杰潘岳黄英龙杨庚宇唐昱毛俊蔡一茂
文献传递
TaOx阻变存储器件的研究
浮栅器件由于具有速度快、体积小、兼容性好、携带方便、寿命长等众多优点而广泛应用于目前的电子产品中。采用浮栅结构的闪烁存储器(Flash)是当前被广泛使用的典型非挥发性存储器。然而,随着器件物理尺寸的进一步缩小和人们对器件...
谭胜虎
关键词：集成电路芯片设计
一种自路由单元电路及其控制方法
本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条...
黄如杨庚雨蔡一茂潘越谭胜虎张耀凯陈诚黄英龙唐昱
文献传递
一种低功耗阻变存储器结构及制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括衬底，在衬底上设有下电极，在下电极上设有第一阻变层，在第一阻变层上设有第二阻变层，在第二阻变层上设有电子电流阻挡层...
张丽杰黄如谭胜虎
文献传递
一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法
本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感...
黄如杨庚雨张丽杰叶乐谭胜虎蔡一茂邹积彬唐昱秦石强
文献传递
一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法
本发明公开了一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法。本发明的控制方法在神经元电路里，阻变忆阻器的两个端口分别和MOS晶体管的漏端和源端相连，组成并联结构，并分别连接于前神经元和后神经元，在MOS晶体管的栅端加上栅电压...
黄如杨庚雨张耀凯张丽杰陈诚潘越蔡一茂黄英龙谭胜虎
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0