刘欣
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 芯片级封装技术研究
- 对刚性基板倒装式和晶圆再分布式两种结构的芯片级封装(CSP)进行了研究,并描述了工艺流程。详细阐述了CSP的几项主要的关键技术:即结构设计技术,凸点制作技术,包封技术和测试技术。阐述了采用电镀和丝网漏印制备焊料凸点的方法...
- 叶冬刘欣刘建华曾大富
- 关键词：CSP凸点
- 文献传递
- 圆片级封装的无铅焊料凸点制作技术研究
- 对圆片级封装(WLP)的结构设计和关键工艺技术进行了研究;描述了凸点UBM层的选择,凸点回流技术以及凸点的质量控制技术;重点阐述了采用电镀来制作无铅焊料凸点的方法。
- 罗驰刘建华刘欣
- 关键词：WLP无铅凸点
- 文献传递
- 电化学腐蚀微细加工技术制备薄膜高频基板关键技术研究
- 本文介绍了一种采用电化学腐蚀微细加工技术制备薄膜高频基板导带的方法。采用选择性电镀、电化学腐蚀技术来制备导带具有导带质量好，基本无侧向腐蚀，不受到线宽限制，设备投入低等优点，但需要对电化学腐蚀溶液进行优选，这个工艺流程中...
- 罗驰叶冬刘欣
- 关键词：产品质量性能表征
- 文献传递
- GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制
- 2015年
- 分析了GaN-MOCVD设备中MO源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定MO源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于Ga N-MOCVD中5种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO源注入摩尔流量精确控制的解决方案。
- 刘欣魏唯陈特超
- 关键词：半导体设备
- WLP工艺中电镀SnPb焊料凸点工艺制作研究
- 本文以晶圆级封装工艺技术(WLP)研究为基础,着重阐述了采用电化学沉积SnPb焊料凸点的方法及其工艺控制过程。通过电化学沉积的方法制作出了高度均匀性为±101μm、高为150μm的SnPb焊料凸点,经扫描电镜分析,SnP...
- 杨立功罗驰刘欣刘建华叶冬
- 关键词：晶圆级封装
- 文献传递
- 射频离子束辅助溅射镀膜设备的研制被引量：1
- 2013年
- 介绍了一种用于氧化物薄膜制备的射频离子束辅助溅射镀膜设备,阐述了设备原理、组成、特点以及试验结果。通过使用射频离子源和射频中和器,解决了采用热灯丝离子源的同类设备中灯丝易被氧化的关键问题,适合于氧化物薄膜制备。
- 陈特超龙长林胡凡刘欣王慧勇
- 关键词：离子束溅射
