黄靖云
- 作品数：219 被引量：442H指数：11
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN
- 2003年
- 随着多晶GaN材料发光研究的不断深入 ,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以其自身特有的优势 ,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底。本文采用一种新的金属镓层氮化技术 ,使用无定形石英作衬底 ,在常压下制备出多晶GaN。经分析测试表明 ,生长出的多晶GaN为六方结构且质量较好 。
- 邵庆辉叶志镇Nasser N.Morgan顾星黄靖云赵炳辉
- 关键词：金属GAN氮化镓半导体多晶材料
- 固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法
- 本发明提供的固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法包括以下步骤：将衬底置于气相沉积反应室中，加热至150～700℃；以Zn的固态金属有机物作为原材料，置于反应室的石英管中，在100～400℃下升华或蒸发，成气态，并在压强...
- 叶志镇吕建国陈汉鸿赵炳辉黄靖云
- 文献传递
- 氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO_3晶体薄膜的影响被引量：6
- 2003年
- 本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜 ,LN(0 0 6 )衍射峰的半高宽为 0 2 1°。
- 王新昌叶志镇何军辉黄靖云顾星卢焕明赵炳辉
- 关键词：PLD法硅衬底C轴取向薄膜生长脉冲激光沉积
- 一种p型CuMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种p型CuMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其中M为III族元素B、Al、Ga、In、Sc、Y。其中：Cu与Sn共同作为材料的基体元素，Cu为+1价，Sn为+2价，二者与O结合形成材料的p型导电特性；M为+3价...
- 吕建国于根源黄靖云叶志镇
- 文献传递
- Bi<Sub>3</Sub>Ti<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>F光催化剂/吸附剂的制备方法
- 本发明提供一种光催化剂/吸附剂Bi<Sub>3</Sub>Ti<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>F的制备方法，包括以下步骤：将钛源溶于去离子水或乙酸溶液，得钛源溶液；向钛源溶液中加入Bi(NO<Sub>3...
- 黄靖云王威叶志镇
- 文献传递
- UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象被引量：2
- 2004年
- 本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析 ,但随着温度的升高 。
- 吴贵斌崔继锋黄靖云叶志镇
- 关键词：锗硅合金X射线光电子谱
- 生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置
- 本发明的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长室内，生长室采用水冷结构，具有双层壁，夹层充冷却水冷...
- 叶志镇徐伟中赵炳辉朱丽萍黄靖云
- 文献传递
- 退火对Zn<,1-x>Cd<,x>O薄膜结晶质量的影响
- 研究了退火对溅射沉积Zn<,1-x>Cd<,x>O薄膜(0≤x≤1.0)薄膜结晶质量的影响.结果发现:500℃下退火的薄膜具有最高的XRD衍射强度,但Cd组分含量较高(x≥0.6)的薄膜易发生CdO晶相的再蒸发现象.退火...
- 马德伟叶志镇黄靖云赵炳辉朱丽萍
- 关键词：退火溅射沉积
- 文献传递
- 直流反应磁控溅射Zn_(1-x)Cd)_xO薄膜的研究被引量：4
- 2003年
- 用直流反应磁控溅射法在n Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜 ,最佳生长温度为 45 0℃ (x=0 2 ) .当x≤ 0 6时 ,Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构 ,x =0 8时 ,薄膜是由ZnO六角结构晶体和CdO立方结构晶体组成的混合物 .透射光谱测试表明 ,通过改变合金薄膜中Cd的含量 ,可以调节Zn1-x CdxO薄膜的禁带宽度 .
- 马德伟叶志镇黄靖云赵炳辉
- 关键词：磁控溅射禁带宽度
- AB_5型贮氢合金及其优化设计被引量：28
- 2001年
- AB5型贮氢合金的性能主要取决于其成分、结构和显微组织。本文从AB5型贮氢合金的晶体结构出发 ,详细讨论了AB5型贮氢合金在诸多方面的优化措施 :(1)化学成分上 ,向多元合金化发展 ,降低合金的成本 ,改善合金性能 ;(2 )结构上 ,偏离AB5结构 ,发展非化学计量比合金 ;(3)显微组织上 ,从主相向“主相 +辅相”发展 ;(4 )工艺上 ,开发新的合金制备、热处理和表面改性等工艺方法 ;(5 )改善合金使用环境 ;(6 )研究方法上理论化、系统化。通过这些途径 ,可以对AB5型贮氢合金进行深入研究 ,进一步提高合金的性能。
- 吕建国黄靖云叶志镇
- 关键词：AB5型贮氢合金晶体结构优化设计
