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吕建国

作品数:275 被引量:476H指数:13
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 207篇专利
  • 44篇期刊文章
  • 17篇会议论文
  • 6篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 49篇电子电信
  • 32篇一般工业技术
  • 17篇电气工程
  • 14篇理学
  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇文化科学
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇化学工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 68篇纳米
  • 52篇电容
  • 52篇非晶
  • 48篇电容器
  • 43篇溅射
  • 43篇SUB
  • 42篇磁控
  • 42篇磁控溅射
  • 35篇电极
  • 33篇超级电容
  • 32篇超级电容器
  • 31篇电池
  • 30篇纳米材料
  • 26篇半导体
  • 26篇比电容
  • 26篇P型
  • 23篇脉冲激光
  • 23篇脉冲激光沉积
  • 22篇电容器电极
  • 17篇氧化物

机构

  • 275篇浙江大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇长沙理工大学
  • 1篇金日成综合大...
  • 1篇上海市计量测...
  • 1篇宁波正力药品...

作者

  • 275篇吕建国
  • 146篇叶志镇
  • 34篇赵炳辉
  • 27篇黄靖云
  • 23篇朱丽萍
  • 21篇杨杰
  • 21篇江庆军
  • 18篇张银珠
  • 16篇曾昱嘉
  • 15篇汪雷
  • 14篇冯丽莎
  • 11篇吕斌
  • 10篇胡睿
  • 10篇何海平
  • 9篇龚丽
  • 9篇陈凌翔
  • 9篇王钰萍
  • 9篇孙汝杰
  • 8篇别勋
  • 6篇吴萍

传媒

  • 11篇材料科学与工...
  • 8篇Journa...
  • 3篇无机材料学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇发光学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇科学技术与辩...
  • 1篇电子学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇情报杂志
  • 1篇科技管理研究
  • 1篇材料导报
  • 1篇西安理工大学...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇金属功能材料
  • 1篇压电与声光
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 8篇2023
  • 7篇2022
  • 5篇2021
  • 13篇2020
  • 32篇2019
  • 33篇2018
  • 32篇2017
  • 23篇2016
  • 13篇2015
  • 11篇2014
  • 8篇2013
  • 12篇2012
  • 17篇2011
  • 10篇2010
  • 6篇2009
  • 2篇2008
  • 5篇2007
  • 5篇2006
  • 9篇2005
  • 6篇2004
275 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响被引量:10
2005年
目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.
曾昱嘉叶志镇吕建国李丹颖朱丽萍赵炳辉
关键词:磁控溅射共掺
功率和退火对磁控溅射生长ZnO∶Ga薄膜的影响被引量:3
2014年
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Ga透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射(XRD)、四探针电导率测试、紫外可见分光光度等表征方法研究了溅射功率对薄膜结晶特性及光电性能的影响。结果表明:当溅射功率180W时制备的GZO薄膜光电性能最优,方块电阻为9.8Ω/sq,电阻率为8.6×10-4Ω·cm,霍尔迁移率为12.5cm2/V·s,载流子浓度为5.8×1020cm-3,可见光透过率超过92%。另外,研究了最优制备条件下的GZO薄膜的高温稳定性,在氩气、氧气和真空气氛下分别对薄膜进行退火处理。结果表明,氩气退火的薄膜电学性能显著提高,是显著改善GZO薄膜性能的有效方法之一;氧气退火不利于薄膜的导电性;真空退火介于两者之间。
李霞陈凌翔吕建国叶志镇
关键词:磁控溅射电学性能功率退火
一种p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
本发明公开了一种p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜,其中,在所述ZnRhMO中,Zn为+2价,Rh为+3价,二者与O结合共同形成材料的p型导电基体;M为Cu、Ni、Sn的一种,为亚氧化化学价态,即当M为Cu时,其为+1...
吕建国孟璐
文献传递
一种p型NiMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
本发明公开了一种p型NiMSnO非晶氧化物半导体薄膜,其中NiMSnO中的M元素具有较低的标准电势,与O有高的结合能,M与O形成的氧化物为高阻氧化物、且其禁带宽度大于3eV,M为Be、Mg、Ca、Sr、Ba、B、Al、G...
吕建国于根源叶志镇
晶体硅太阳能电池
本发明公开的晶体硅太阳能电池依次包括Al电极、背面ZnO基薄膜层、p型Si基体层、n型Si扩散层、正面ZnO基薄膜层和Ag主电极粗线。本发明的晶体硅太阳能电池具有光电转换效率高、稳定性高、工艺简单、生产成本低的优点,可以...
吕建国叶志镇黄继杰
文献传递
一种可弯曲全透明ZnMgO薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开的可弯曲全透明ZnMgO薄膜晶体管,以Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O合金半导体薄膜,0<x<1为沟道层,以Ga掺杂的n型ZnO为栅极、源极和漏极,以Al<Sub>2</Sub>O...
叶志镇龚丽吕建国
文献传递
两步法生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法
本发明的生长p型ZnO晶体薄膜的方法,采用的是磁控溅射法:反应室真空度抽到至少4×10<Sup>-3</Sup>Pa,以铝的质量百分含量为0.1~0.3%的锌铝合金为靶材,以纯度99.99%以上的N<Sub>2</Sub...
叶志镇吕建国诸葛飞赵炳辉
文献传递
一种用于超级电容器的NiSe三维多孔纳米片材料及其制备方法
本发明公开一种用于超级电容器的NiSe三维多孔纳米片材料及其制备方法。NiSe纳米片堆积并纵横交错形成互相连通的三维立体孔状结构,纳米片厚度不超过10nm,100~300nm大孔与10~100nm小孔均匀交错分布。NiS...
吕建国杨杰
文献传递
一种紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法,以及一种用作紫外探测器光激活层的非晶氧化物薄膜。该紫外探测器包含衬底、光激活层及一对电极,且光激活层为非晶氧化物薄膜,该非晶氧化物薄膜的化学式为Zn<Sub>4</Sub>Al<S...
吕建国江庆军孙汝杰冯丽莎朱恒伟
以ITO∕ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法
本发明公开了一种以ITO∕ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法,包括:1)清洗基片;2)在基片上沉积ITO导电膜;3)对ITO导电膜光刻,形成n电极区域和ITO导电膜覆盖的p电极区域,所述的ITO导电膜覆盖的面积略...
吕建国陈丹叶志镇
文献传递
共28页<12345678910>
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