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添加剂对化学水浴法制备In2S3薄膜表面形貌的影响: InS薄膜是一种重要的光电和光伏材料,获得低成本致密的InS薄膜成为其研究的趋势。本文采用化学水浴法,并添加不同种的添加剂制备了InS薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了薄膜的结构和表面形貌,并比...; 盛夏汪雷崔方明姜婷婷杨德仁; 关键词：表面形貌; 文献传递

Ge(111)表面氯自组装系统的近边X射线吸收精细结构理论研究被引量：2: 2002年; 利用多重散射团簇方法 (MSC)首次对Cl/Ge(111)自组装系统的Cl原子K边X射线吸收精细结构 (NEXFAS)进行了详细的计算和分析。研究揭示了实验NEXFAS谱峰的物理起源。其中最显著一个峰来源于Cl和正位于其下的Ge之间的散射。同时还得到了吸附系统的局域结构 ;Cl吸附在Ge(111)面的顶位 ,吸附高度是 0 2 15± 0 0 0 5nm ,Cl在Ge(111)表面自组装形成了一个单分子层。这些结果和广延X射线吸收精细结构 (EXFAS); 曹松唐景昌汪雷李攀峰; 关键词：半导体

用于太阳电池吸收层的铜铟硫阵列化薄膜的制备方法: 本发明公开了一种用于太阳电池吸收层的铜铟硫阵列化薄膜的制备方法，采用溶液法利用硼氢化钠还原铜盐和铟盐制备Cu-In合金纳米颗粒，进而将其溶解在有机溶剂中制备成Cu-In合金墨水，涂覆在Si片，Mo片或者玻璃等衬底上制备成...; 汪雷盛夏杨德仁常兰涛

氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化被引量：7: 2003年; 研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化 ,利用了XPS(X射线光电子谱 )、SEM(扫描电子显微镜 )、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪 )等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面 ,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于 110 0℃的条件下 ,氮气才能与硅表面发生反应 ,生成氮化硅 (Si3 N4 )薄膜 ,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应 ,生成二氧化硅 (SiO2 )薄膜 .; 祝洪良杨德仁汪雷裴艳丽阙端麟张寒洁何丕模; 关键词：氮化硅 X射线光电子谱氮化

一种制备CuInS<Sub>2</Sub>薄膜的方法: 本发明公开的制备CuInS<Sub>2</Sub>薄膜的方法，采用的是化学镀的方法，步骤如下：先采用化学镀方法在清洗干净的Mo、Ti、Fe或Pd活性金属衬底上沉积Cu薄膜，然后采用化学镀方法沉积In薄膜，得到Cu-In前...; 杨德仁崔方明汪雷盛夏; 文献传递

Si_3N_4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究被引量：1: 2001年; 利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4 /Si(111)和Si3N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变 .在生长早期T为 35 0— 10 75K范围内 ,Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合 .当生长继续时 ,Si的晶体小面开始显现 .在晶态的Si3N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Si的 (111)小面生长比其他方向优先 ,生长方向与衬底Si(111)方向一致 .最后在大范围内形成以 (111)为主的晶面 .相反 ,在非晶的Si3N4 表面 ,即Si3N4 /Si(10 0 ) ,Si晶体的生长呈现完全随机的方向性 ,低指数面如 (111)和 (10 0 )面共存 ,但它们并不占据主导地位 ,大部分暴露的小面是高指数面如 (113)面 .; 汪雷唐景昌王学森; 关键词：氮化硅扫描隧道显微镜晶体生长硅表面

超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究被引量：1: 1999年; 利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层。; 卢焕明叶志镇黄靖云汪雷赵炳辉张昊翔; 关键词：锗 CVD 超高真空

一步电沉积法制备铜铟硫薄膜的研究被引量：2: 2010年; 本文采用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上成功制备了不同Cu/In比的CuInS2(CIS)薄膜。采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射和紫外-可见分光光度计对制备的薄膜进行了表征,并研究了Cu/In比对薄膜结晶性和光学性能的影响。研究表明:通过优化电解液成分、pH值和电沉积条件,可得到均匀致密、与衬底结合力强的CIS薄膜;Cu/In比的增大有助于提高退火后薄膜的结晶性能,增大晶粒尺寸;所制备的薄膜均为单一黄铜矿相,具有较好的光吸收性能,其禁带宽度约为1.47eV。; 刘红娟汪雷杨德仁杨华王子奇; 关键词：CIS薄膜退火

铸造多晶硅不同部位的少子寿命研究: 本文结合光学显微镜(OM)观察位错腐蚀坑,利用MWPCD对铸造多晶硅不同部位的样品少子寿命进行了分析。不同部位的样品的平均位错密度达10/cm,顶部位错密度最高。不同部位的样品钝化后寿命均有提高,吸杂后寿命提高更多。底部...; 王朋杨德仁李晓强汪雷阙端麟; 关键词：少子寿命; 文献传递

Si82笼状分子的第一性原理研究被引量：1: 2009年; 本文构建了Si82笼状分子的具有C2v对称性的初始原子结构模型。采用基于密度泛函的第一性原理方法对其结构进行优化计算。研究发现:经过结构驰豫,Si82分子对称性从C2v下降为Cs,部分硅原子从顶点位置向内凹陷,导致键长和键角均发生变化。对Si82笼状分子的稳定性、轨道分布和电荷分布等性质进行了分析和讨论。; 汪雷杨德仁; 关键词：富勒烯

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汪雷