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赵星

作品数：25 被引量：16H指数：3
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家攀登计划浙江省科技厅科技计划项目浙江省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 5篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 11篇肖特基
  • 11篇肖特基二极管
  • 11篇二极管
  • 10篇锗硅
  • 9篇漏电流
  • 9篇反向漏电
  • 9篇反向漏电流
  • 7篇欧姆接触
  • 7篇欧姆接触电极
  • 7篇接触电极
  • 6篇金属
  • 6篇金属诱导
  • 6篇化合物层
  • 6篇化物
  • 6篇化学气相
  • 6篇化学气相沉积
  • 6篇硅化物
  • 6篇超高真空
  • 6篇超高真空化学...
  • 5篇锗烷

机构

  • 25篇浙江大学

作者

  • 25篇赵星
  • 20篇刘国军
  • 20篇吴贵斌
  • 20篇叶志镇
  • 8篇赵炳辉
  • 4篇唐九耀
  • 1篇孙伟峰

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2014
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 14篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇1900
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种锗硅肖特基二极管及其制作方法
本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的...
叶志镇吴贵斌唐九耀赵星刘国军
文献传递
一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法
本发明的多晶锗硅肖特基二极管包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。制作步骤如下：先在硅衬底上生长一层...
叶志镇吴贵斌赵星刘国军
文献传递
纳米纤维素与金属有机框架材料复合膜的制备与性能研究
在自然界中存在的天然高分子材料里，纤维素因为其来源广泛且具有可生物降解等优点，成为很多环保材料的原材料，由纤维素制备得到纳米纤维素也在纳米生物科技领域表现出巨大的潜力。近年来，空气污染受到人们越来越多的重视，房屋装修产生...
赵星
关键词：纳米纤维素复合膜
金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜被引量：3
2006年
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)等对多晶锗硅薄膜的质量、表面形貌进行了测试分析,并就生长参数以及金属Ni对薄膜性能的影响进行了研究.结果表明1)在420—500℃范围内,金属Ni具有明显的诱导作用;2)Ni层厚度对薄膜质量及形貌的影响使得晶粒尺寸随Ni厚度增加存在一极大值.在Ni层厚度为60nm时,能够获得晶粒尺寸均匀,晶粒大小为500—600nm,结晶质量良好的多晶锗硅薄膜.
吴贵斌叶志镇赵星刘国军赵炳辉
关键词：超高真空化学气相沉积金属诱导镍
一种多晶锗硅薄膜的制备方法
本发明公开的多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层；然后利用电子束蒸发，在热氧化后的硅片上蒸镀一层金属镍或金属钴；再将镀好镍或钴的样品放入超高真空化学气相沉...
叶志镇吴贵斌赵星刘国军
文献传递
一种锗硅肖特基二极管及其制作方法
本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的...
叶志镇吴贵斌唐九耀赵星刘国军
文献传递
水位变化对高铁路基动力特性及累积变形特性的影响研究
高速铁路路基服役时间长达百年，在长期服役过程中会经受降雨、地下水位变化等于湿循环的作用。使得路基填料的物理力学性质发生改变，加剧轨道路基结构的振动，增加路基在列车动载作用下的累积变形。从而影响了列车运行的安全和舒适，降低...
赵星
关键词：高铁路基模型试验水位变化动土压力
文献传递
利用UHV/CVD在SiO2薄膜上生长多晶锗硅薄膜的研究
本文利用一种先进的薄膜制备技术超高真空化学气相沉积（UHVCVD）对在SiO2非晶衬底上生长Si1-xGex多晶薄膜的一系列研究。本文围绕两个方面进行研究:一种是探讨最佳的生长参数使得Si1-xGex在非晶衬底上不易成膜...
赵星
关键词：金属诱导
文献传递
一种多晶锗硅薄膜的制备方法
本发明公开的多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层；然后利用电子束蒸发，在热氧化后的硅片上蒸镀一层金属镍或金属钴；再将镀好镍或钴的样品放入超高真空化学气相沉...
叶志镇吴贵斌赵星刘国军
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一种多晶锗硅肖特基二极管
本实用新型的多晶锗硅肖特基二极管，包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。该多晶锗硅肖特基二极管利用生...
叶志镇吴贵斌赵星刘国军
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