唐九耀
- 作品数：30 被引量：129H指数：9
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：浙江省科技计划项目福建省教委资助项目教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术核科学技术更多>>
- 一维PSD的光电性能解析研究被引量：12
- 2000年
- 位置敏感探测器（ＰＳＤ）是一种基于横向光电效应的光敏器件，本文从描述横向光电效应的Ｌｕｃｏｖｓｋｙ方程出发，分析了几种不同情况下一维ＰＳＤ输出信号的解析解，讨论了一维ＰＳＤ的响应特性、线性条件及位置公式。
- 黄梅珍唐九耀陈钰清曹向群
- 关键词：位置敏感探测器PSD响应特性光电性能
- 枕型二维位敏探测器的结构和性能研究被引量：32
- 2001年
- 本文从二维位敏探测器 ( PSD)的结构和性能的比较出发 ,对枕型结构 PSD的性能作了理论上的推导和分析 。
- 唐九耀
- 梳状一维位置敏感探测器（PSD)的研制
- 本文分析了梳状一维PSD 的工作机理，以及和条状一维PSD 相比它所具有的高线性度、高准确度的优点。此外，本文还提出了梳状一维PSD 的设计原理，制作工艺以及测试结果。采用IC 工艺技术所制作的梳状一维PSD 显示了良好...
- 唐九耀吴旭明陈钰清
- 关键词：光电效应位置敏感探测器硅光电探测器
- 文献传递
- 枕型二维位置敏感探测器的研制被引量：10
- 2005年
- 证明了枕型二维位置敏感探测器设计的基本原理———Gear定理,并推导了适用于枕型二维位置敏感探测器的位置计算公式,此外还提出了枕型二维位置敏感探测器的制作工艺和测试结果。采用集成电路工艺所研制的枕型二维位置敏感探测器(光敏面为8 mm×8 mm)表现出良好的光电特性,当反偏为5 V时其暗电流约为15 nA,峰值时的光谱灵敏度超过了0.6 A/W。在所测量的 75%光敏区域内,均方根位置误差约为 0.135 mm,而以均方根位置误差表示的非线性度在1.1%左右,比四边形二维位置敏感探测器的位置线性度提高了近一个数量级。
- 唐九耀林进军孙晓斌
- 关键词：光学器件位置敏感探测器
- 一维位置敏感探测器位置准确度和线性度的改进被引量：3
- 2005年
- 在常规的条状一维位置敏感探测器(PSD)中,光敏区和位置电阻区是结合在一起的,器件的欧姆接触电极难以做得比较理想,因此器件的位置准确度和线性度也受到了不利的影响。而在梳状一维位置敏感探测器中,光敏区和位置电阻区被分成了梳齿区和梳脊区两部分,并且位置电阻区被设计成很窄的长条,即使掺杂浓度比较高,位置电阻也能做得相当大。这样条状一维位置敏感探测器接触电极上的缺陷就可消除。用两种不同的一维位置敏感探测器所测量的位置特性曲线证实了理论分析的正确性。测量结果还表明,梳状一维位置敏感探测器的位置准确度和线性度比条状一维位置敏感探测器有了显著的提高,梳状一维位置敏感探测器的平均位置误差从条状一维位置敏感探测器的55μm减小到了26μm,梳状一维位置敏感探测器的均方根非线性度从条状一维位置敏感探测器的0.94%减小到了0.09%。
- 唐九耀张晓华
- 关键词：探测器位置敏感探测器
- Si:Pd深能级的X_a-SW研究
- 唐九耀
- 高温热氧化中SiO_2层厚度的控制研究被引量：2
- 2001年
- 本文介绍了 Si热氧化的工艺过程和温度曲线 ;对热氧化生成的 Si O2 层厚度进行了理论计算和实际测定 ;并列出了 7个 Si O2 样品的干、湿氧时间、理论计算值、实测值及产生的误差值 ,多数样件可控制在 15 %左右 (最优达 70 % ) ;介绍了控制干、湿氧不相互干扰的管路系统、稳定水浴温度 95℃的方法 ;分析了影响 Si O2
- 曹向群唐九耀范丽娜
- 关键词：厚度控制二氧化硅
- 提高四边形电极结构二维PSD线性度的研究被引量：10
- 2002年
- 在对单表面分流四边形电极结构二维 PSD的非线性及失真进行理论分析的基础上 [1 ] ,从理论上计算得到了这种结构 PSD的位置修正因子 ,并提出了一种对这种结构 PSD的位置非线性进行修正的方法。初步实验取得了非常满意的结果 :经过修正后 ,在较大尺寸 (13mm× 13mm)器件上实现了 6 0 %光敏面范围内的位置非线性均方根误差 0 .15 % ,位置检测均方根误差从原来的±10 10μm减小到± 2 0μm。最大误差从± 15 0 0μm下降到± 5 0μm。由于进行了归一化处理 ,该方法适用于这种结构不同尺寸的 PSD,特别具有实用意义。
- 黄梅珍林斌唐九耀郑明学陈钰清曹向群
- 关键词：PSD线性度修正因子位置敏感探测器
- 一种锗硅肖特基二极管及其制作方法
- 本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的...
- 叶志镇吴贵斌唐九耀赵星刘国军
- 文献传递
- 一种在单晶硅太阳能电池表面上蚀刻绒面的方法
- 本发明涉及一种在单晶硅太阳能电池表面上蚀刻绒面的方法，采用次氯酸钠溶液在单晶硅太阳能电池表面进行腐蚀和蚀刻绒面，其中腐蚀液次氯酸钠的含量为8－15wt％，制绒液中的次氯酸钠和乙醇含量为：次氯酸钠5wt％，乙醇vl10％。...
- 唐九耀孙林锋
- 文献传递
