孙晓斌
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：浙江大学物理系物理学系更多>>
- 发文基金：浙江省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 枕型二维位置敏感探测器的研制被引量：10
- 2005年
- 证明了枕型二维位置敏感探测器设计的基本原理———Gear定理,并推导了适用于枕型二维位置敏感探测器的位置计算公式,此外还提出了枕型二维位置敏感探测器的制作工艺和测试结果。采用集成电路工艺所研制的枕型二维位置敏感探测器(光敏面为8 mm×8 mm)表现出良好的光电特性,当反偏为5 V时其暗电流约为15 nA,峰值时的光谱灵敏度超过了0.6 A/W。在所测量的 75%光敏区域内,均方根位置误差约为 0.135 mm,而以均方根位置误差表示的非线性度在1.1%左右,比四边形二维位置敏感探测器的位置线性度提高了近一个数量级。
- 唐九耀林进军孙晓斌
- 关键词：光学器件位置敏感探测器
- 位敏探测器表面反射损耗的优化被引量：3
- 2001年
- 本文通过计算 Si O2 单层以及 Si O2 和 Si3N4组成的双层减反膜对不同波长的反射率 ,给出了位敏探测器表面反射损耗的优化。
- 孙晓斌唐九耀吴旭明
- 关键词：反射损耗位置传感器
- 枕型二维位置敏感探测器（PSD）的研制
- 本文证明了枕型二维PSD设计的基本原理—Gear定理,并指出了适用于枕型二维PSD的位置计算公式,此外本文还提出了枕型PSD的制作工艺和测试结果。我们采用IC工艺技术所研制的枕型PSD器件表现出良好的光电特性和测量准确度...
- 唐九耀林进军孙晓斌
- 关键词：位置敏感探测器硅光电探测器
- 文献传递
- Si光电器件表面减反膜设计的数值分析被引量：1
- 2001年
- 本文通过计算、分析在 Si光电器件表面由 Si O2 、Si3N4及 Al2 O3组成的不同减反膜的反射损耗 ,得出了最优化的膜层组合。厚度为 95 nm的 Si O2 层是最佳的单层减反膜 ;进一步的优化可采用 40 nmSi3N4和 40 nm Si O2 或 45 nm Al2 O3和 45 nm Si O2 组成的 2层结构 ;3层或 3层以上结构的反射损耗呈振荡性变化 。
- 孙晓斌唐九耀
- 关键词：硅
