吴贵斌
- 作品数：30 被引量：42H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种锗硅肖特基二极管及其制作方法
- 本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的...
- 叶志镇吴贵斌唐九耀赵星刘国军
- 文献传递
- UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象被引量：2
- 2004年
- 本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析 ,但随着温度的升高 。
- 吴贵斌崔继锋黄靖云叶志镇
- 关键词：锗硅合金X射线光电子谱
- 氧化铝模板法制备Ge纳米线被引量：14
- 2003年
- 采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 .
- 叶好华叶志镇黄靖云吴贵斌赵炳辉涂江平侯山昆
- 关键词：氧化铝模板
- UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层制备高频肖特基势垒二极管
- 采用自行研制的新一代超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)系统,在550℃下,N型重掺Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层,并利用扩展电阻(SRP)和摇摆曲线对外延层进行了检验和评定.结果表明,外延薄膜质量较好,没有明显的位...
- 吴贵斌叶志镇黄靖云崔继锋赵炳辉
- 关键词：超高真空化学气相沉积
- 文献传递
- 金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜被引量：3
- 2006年
- 采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)等对多晶锗硅薄膜的质量、表面形貌进行了测试分析,并就生长参数以及金属Ni对薄膜性能的影响进行了研究.结果表明1)在420—500℃范围内,金属Ni具有明显的诱导作用;2)Ni层厚度对薄膜质量及形貌的影响使得晶粒尺寸随Ni厚度增加存在一极大值.在Ni层厚度为60nm时,能够获得晶粒尺寸均匀,晶粒大小为500—600nm,结晶质量良好的多晶锗硅薄膜.
- 吴贵斌叶志镇赵星刘国军赵炳辉
- 关键词：超高真空化学气相沉积金属诱导镍
- 一种多晶锗硅薄膜的制备方法
- 本发明公开的多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层；然后利用电子束蒸发，在热氧化后的硅片上蒸镀一层金属镍或金属钴；再将镀好镍或钴的样品放入超高真空化学气相沉...
- 叶志镇吴贵斌赵星刘国军
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- 一种锗硅肖特基二极管及其制作方法
- 本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的...
- 叶志镇吴贵斌唐九耀赵星刘国军
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- 超高真空化学气相沉积装置
- 本实用新型的超高真空化学气相沉积装置包括生长室、预处理室和进样室，生长室中安装有衬底片托盘和加热器，其特征是所说的生长室呈球状，加热器为中间厚、边缘薄的圆形栅栏状石墨片，中间厚部分的直径为整圆直径的50～60％，厚度为边...
- 叶志镇赵炳辉吴贵斌黄靖云崔继锋
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- 超高真空化学气相生长用于应变硅的高质量SiGe缓冲层被引量：5
- 2005年
- 采用UHV/CVD技术,以多层SiGe/Si结构作为缓冲层来生长应变弛豫SiGe虚衬底,并在此基础上生长出了具有张应力的Si层.利用高分辨X射线、二次离子质谱仪和原子力显微镜分别对薄膜的晶体质量、厚度以及平整度进行了分析.结果表明,通过这种方法制备的SiGe虚衬底,不仅可以有效提高外延层中Ge含量,以达到器件设计需要,而且保证很好的晶体质量和平整的表面.Schimmel液腐蚀后观察到的位错密度只有1×106cm-2.
- 吴贵斌叶志镇刘国军赵炳辉崔继峰
- 关键词：超高真空化学气相沉积锗硅缓冲层
- 一种多晶锗硅薄膜的制备方法
- 本发明公开的多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层；然后利用电子束蒸发，在热氧化后的硅片上蒸镀一层金属镍或金属钴；再将镀好镍或钴的样品放入超高真空化学气相沉...
- 叶志镇吴贵斌赵星刘国军
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