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杨晓亮

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工程大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇绝缘体上硅
  • 6篇抗辐射
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 4篇硅薄膜
  • 3篇氧化层
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇多晶硅膜
  • 2篇有源像素
  • 2篇有源像素传感...
  • 2篇散热
  • 2篇散热能力
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅薄膜
  • 2篇介质隔离
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘性

机构

  • 8篇哈尔滨工程大...

作者

  • 8篇杨晓亮
  • 7篇曹菲
  • 7篇王颖
  • 6篇刘云涛
  • 4篇邵磊
  • 2篇邵雷

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构
本实用新型涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构。本实用新型在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆...
王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵雷
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CMOS图像传感器像素辐射特性的仿真研究
近年来，随着半导体技术的快速发展及CMOS工艺水平的不断提高，CMOS图像传感器得到了快速的发展。目前CMOS图像传感器已广泛应用于各类电子产品、安防应用、医学、3D成像、汽车等相关领域。除了应用于民用领域，CMOS图像...
杨晓亮
关键词：CMOS图像传感器性能参数仿真模拟
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一种绝缘体上硅结构形成方法
本发明涉及绝缘体上硅器件领域，具体为一种绝缘体上硅结构形成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上使多晶硅与氧化剂形成具有介质隔离作用的第一氧化层；在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第一通孔，除光刻胶；在第一氧化层表面，形成第...
王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵磊
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一种绝缘体上硅结构形成方法
本发明涉及绝缘体上硅器件领域，具体为一种绝缘体上硅结构形成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上使多晶硅与氧化剂形成具有介质隔离作用的第一氧化层；在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第一通孔，除光刻胶；在第一氧化层表面，形成第...
王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵磊
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一种有源像素结构及其制作方法
本发明公开了一种有源像素结构及其制作方法，该像素结构包括：NMOS器件和PMOS器件，其中，所述NMOS器件在100晶向的SOI顶层多晶硅薄膜上；所述PMOS器件在110晶向或111晶向的SOI顶层多晶硅薄膜上。与普通有...
王颖杨晓亮曹菲胡海帆
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一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构
本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固SOI结构。本发明在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆盖有多晶硅层（...
王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵雷
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一种用于有源像素传感器的绝缘体上硅结构形成方法
本发明涉及有源像素传感器领域，特别涉及一种将图像传感器中的部分耗尽（PD）型和全耗尽（FD）型MOS器件在同一绝缘体上硅（SOI）基底实现的SOI结构生成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成...
王颖杨晓亮曹菲邵磊刘云涛
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一种用于有源像素传感器的绝缘体上硅结构形成方法
本发明涉及有源像素传感器领域，特别涉及一种将图像传感器中的部分耗尽（PD）型和全耗尽（FD）型MOS器件在同一绝缘体上硅（SOI）基底实现的SOI结构生成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成...
王颖杨晓亮曹菲邵磊刘云涛
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