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王颖

作品数：101 被引量：6H指数：2
供职机构：哈尔滨工程大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 81篇专利
  • 12篇学位论文
  • 5篇期刊文章
  • 3篇科技成果

领域

  • 12篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 3篇经济管理
  • 2篇生物学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇水利工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 19篇氧化层
  • 17篇晶体管
  • 15篇半导体
  • 13篇多晶
  • 13篇多晶硅
  • 12篇栅氧化
  • 12篇栅氧化层
  • 12篇阻挡层
  • 12篇牺牲
  • 10篇电子系统
  • 10篇肖特基
  • 10篇功率MOS器...
  • 10篇功率半导体
  • 9篇电极
  • 9篇电路
  • 9篇电阻
  • 8篇多晶硅栅
  • 8篇半导体器件
  • 7篇势垒
  • 7篇抗辐射

机构

  • 101篇哈尔滨工程大...
  • 1篇牡丹江师范学...
  • 1篇齐齐哈尔大学
  • 1篇南昌大学第一...

作者

  • 101篇王颖
  • 60篇曹菲
  • 28篇刘云涛
  • 23篇邵雷
  • 10篇焦文利
  • 7篇杨晓亮
  • 6篇包梦恬
  • 6篇高松松
  • 5篇于成浩
  • 4篇邵磊
  • 4篇赵春晖
  • 4篇单婵
  • 4篇李婷
  • 4篇程超
  • 3篇杨柳
  • 2篇张涛
  • 2篇徐立坤
  • 2篇兰昊
  • 2篇张密林
  • 2篇嵇凤丽

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇计算机科学
  • 1篇基因组学与应...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 11篇2015
  • 10篇2014
  • 19篇2013
  • 8篇2012
  • 15篇2011
  • 6篇2010
  • 6篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇1998
  • 1篇1994
  • 1篇1992
共 101 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型微电子器件Zr-Si-N扩散阻挡层研究
王颖邵雷丁明惠刘云涛曹菲
随着微电子器件尺寸的进一步缩小，由于接触孔面积的缩小使得阻挡层薄膜的电阻会变大，从而增加总的器件串联电阻。因此，阻挡层在保持铜金属化体系稳定性的同时要尽可能地薄。同时，阻挡层要有一定的厚度，这就要求阻挡层要有良好的低应力...
关键词：
关键词：微电子器件半导体集成电路
一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法
本发明公开了一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法，利用6次掩模版完成了一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制作。对比传统的分裂栅型沟槽功率MOS器件制造工艺，本发明提出的集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造...
王颖胡海帆曹菲刘云涛
文献传递
一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2），在隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次...
王颖包梦恬曹菲邵雷
文献传递
一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构
本实用新型涉及一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，包括电极场板，P阱，P+区域，绝缘介质材料，N型体硅，N型MOSFET，P型MOSFET，背部电极，场板金属电极，P+引出电极，连接场板沟槽。根据本实用新型的带有气...
胡海帆王颖刁鸣
文献传递
一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构
本实用新型涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构。本实用新型在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆...
王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵雷
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集成电路金属化自形成阻挡层研究
王颖
该项目深入分析了掺杂原子扩散规律和物理本质，揭示自形成阻挡层性能和抗电迁徙性能的微观机制。取得如下成果：形成铜互连籽晶层Cu(V)合金制备的综合性工艺方案；提出一种较为完善的互连热稳定性评定体系；提出改善合金铜籽晶层表界...
关键词：
关键词：集成电路金属化工艺
基于局部解加强的势流奇异水动力问题数值方法研究
基于势流理论，精确计算带尖角结构物的水动力载荷非常困难，因为流体在尖角处的局部流动速度是奇异的。本文引入扩展有限元法(XFEM)来求解带尖角结构物的流固相互作用问题，本文的工作可能是海洋水动力学邻域首次使用扩展有限元法求...
王颖
一种绝缘体上硅结构形成方法
本发明涉及绝缘体上硅器件领域，具体为一种绝缘体上硅结构形成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上使多晶硅与氧化剂形成具有介质隔离作用的第一氧化层；在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第一通孔，除光刻胶；在第一氧化层表面，形成第...
王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵磊
文献传递
一种分裂栅型沟槽功率MOS器件
本实用新型涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本实用新型的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为...
王颖胡海帆焦文利
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具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管
本发明提供的是一种具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管.包括源区(40)、体区(30)、漂移区(20)、漏区(50)、源电极(400)、漏电极(500)、栅电极(60)，埋置介质层(70)具有使SOI层与衬底半导体1...
王颖曹菲赵旦峰葛梅
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