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曹菲

作品数：60 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工程大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 58篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 17篇氧化层
  • 13篇多晶
  • 13篇多晶硅
  • 13篇半导体
  • 12篇栅氧化
  • 12篇栅氧化层
  • 12篇晶体管
  • 10篇阻挡层
  • 10篇牺牲
  • 9篇肖特基
  • 8篇电子系统
  • 8篇电阻
  • 8篇多晶硅栅
  • 8篇功率半导体
  • 8篇硅栅
  • 8篇半导体器件
  • 7篇抗辐射
  • 7篇扩散阻挡层
  • 6篇淀积
  • 6篇自加热

机构

  • 60篇哈尔滨工程大...

作者

  • 60篇曹菲
  • 60篇王颖
  • 23篇刘云涛
  • 20篇邵雷
  • 7篇杨晓亮
  • 6篇包梦恬
  • 4篇邵磊
  • 4篇赵春晖
  • 4篇单婵
  • 4篇李婷
  • 4篇焦文利
  • 4篇程超
  • 2篇张涛
  • 2篇徐立坤
  • 2篇兰昊
  • 2篇张密林
  • 2篇高松松
  • 2篇于成浩
  • 1篇张越
  • 1篇李天琦

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 7篇2015
  • 6篇2014
  • 15篇2013
  • 6篇2012
  • 10篇2011
  • 5篇2010
  • 5篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
共 60 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型微电子器件Zr-Si-N扩散阻挡层研究
王颖邵雷丁明惠刘云涛曹菲
随着微电子器件尺寸的进一步缩小，由于接触孔面积的缩小使得阻挡层薄膜的电阻会变大，从而增加总的器件串联电阻。因此，阻挡层在保持铜金属化体系稳定性的同时要尽可能地薄。同时，阻挡层要有一定的厚度，这就要求阻挡层要有良好的低应力...
关键词：
关键词：微电子器件半导体集成电路
一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法
本发明公开了一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法，利用6次掩模版完成了一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制作。对比传统的分裂栅型沟槽功率MOS器件制造工艺，本发明提出的集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造...
王颖胡海帆曹菲刘云涛
文献传递
一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2），在隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次...
王颖包梦恬曹菲邵雷
文献传递
一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构
本实用新型涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构。本实用新型在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆...
王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵雷
文献传递
一种自对准SOI FD MOSFET形成方法
本发明提供的是一种自对准SOI FD MOSFET形成方法。包括对硅薄膜层10进行P型掺杂；在硅薄膜层10上生长栅氧层11；在栅氧层11上淀积多晶硅12，氮化硅掩蔽层13；将氮化硅掩蔽层13两侧、埋氧层2之上的材料全刻蚀...
王颖贺晓雯曹菲刘云涛
文献传递
一种体硅MOSFET结构
本发明公开了一种体硅MOSFET结构。该结构包括：p<Sup>+</Sup>层（2）和n<Sup>-</Sup>层（3）；其中，所述p<Sup>+</Sup>层（2）和所述n<Sup>-</Sup>层（3）直接接触，n<...
王颖贺晓雯曹菲邵雷
文献传递
一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1；在底层半导体衬底（1）上的左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）；顶部硅膜（7）；在顶部硅膜（7）上生长栅...
王颖包梦恬曹菲胡海帆
文献传递
一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法
本发明涉及一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法，其特征在于：其特征在于：将功率半导体器件漂移区按横向厚度均匀分成2—4个区域，针对其中一个区域降低少子寿命；将功率半导体器件漂移区按纵向厚度均匀分成2—4个区域，针对其中一个...
王颖于成浩曹菲胡海帆
文献传递
具有低导通电阻的沟槽DMOS器件
本发明提供的是一种具有低导通电阻的沟槽DMOS器件，该沟槽DMOS晶体管单元包括第一导电类型的衬底、第一导电类型的外延层和位于其上的体区，体区具有第二导电类型；至少一个沟槽贯穿体区并延伸进入外延层；沟槽内壁衬有隔离介质层...
王颖程超曹菲杨晓冬
文献传递
垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法
本发明提供的是一种垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区...
王颖单婵曹菲邵雷
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