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包梦恬

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：哈尔滨工程大学更多>>
发文基金：黑龙江省杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇氧化层
  • 6篇栅氧化
  • 6篇栅氧化层
  • 5篇SOI_MO...
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇多晶硅栅
  • 4篇硅膜
  • 4篇硅栅
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜版
  • 2篇氧腐蚀
  • 2篇体效应
  • 2篇自加热
  • 2篇自加热效应
  • 2篇牺牲层
  • 2篇离子注入
  • 2篇空穴
  • 2篇浮体效应
  • 2篇SOI

机构

  • 8篇哈尔滨工程大...

作者

  • 8篇包梦恬
  • 6篇曹菲
  • 6篇王颖
  • 2篇邵雷
  • 2篇刘云涛

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1；在底层半导体衬底（1）上的左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）；顶部硅膜（7）；在顶部硅膜（7）上生长栅...
王颖包梦恬曹菲胡海帆
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一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1；在底层半导体衬底（1）上的左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）；顶部硅膜（7）；在顶部硅膜（7）上生长栅...
王颖包梦恬曹菲胡海帆
文献传递
一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2），在隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次...
王颖包梦恬曹菲邵雷
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碳化硅LDMOS器件高压新结构研究
随着人类社会的智能化进程加速、大数据和人工智能技术的应用日益普及，对微电子器件的需求非线性增长，以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料，以其优异的物理化学性能有效改善了功率半导体器件的性能指标，解决了硅基功率半导体器件...
包梦恬
关键词：电场强度性能表征
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一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法
本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底（1），隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2），顶层硅膜（3），栅氧化层（4），多晶硅栅（5）；其特征是：通过离子注入在顶层硅膜（3）...
王颖包梦恬曹菲刘云涛
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阶梯图形化SOI MOSFET器件及其可靠性模拟研究
随着集成电路发展到深亚微米技术时代，传统体硅CMOS器件在材料技术、器件理论、器件结构以及制作工艺等方面存在诸多问题，使得基于传统体硅技术的集成电路在发展过程中受到抑制。为了解决这一难题，绝缘衬底上硅（SOI：Silic...
包梦恬
关键词：KINK效应可靠性分析模拟仿真
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一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法
本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2），在隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次...
王颖包梦恬曹菲邵雷
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一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法
本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底（1），隐埋SiO<Sub>2</Sub>层（2），顶层硅膜（3），栅氧化层（4），多晶硅栅（5）；其特征是：通过离子注入在顶层硅膜（3）...
王颖包梦恬曹菲刘云涛
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