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邵磊

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工程大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇绝缘体上硅
  • 3篇氧化层
  • 3篇抗辐射
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇有源像素
  • 2篇有源像素传感...
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅薄膜
  • 2篇介质隔离
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇全耗尽
  • 1篇耗尽型
  • 1篇半绝缘

机构

  • 4篇哈尔滨工程大...

作者

  • 4篇邵磊
  • 4篇曹菲
  • 4篇王颖
  • 4篇杨晓亮
  • 4篇刘云涛

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种绝缘体上硅结构形成方法
本发明涉及绝缘体上硅器件领域，具体为一种绝缘体上硅结构形成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上使多晶硅与氧化剂形成具有介质隔离作用的第一氧化层；在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第一通孔，除光刻胶；在第一氧化层表面，形成第...
王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵磊
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一种绝缘体上硅结构形成方法
本发明涉及绝缘体上硅器件领域，具体为一种绝缘体上硅结构形成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上使多晶硅与氧化剂形成具有介质隔离作用的第一氧化层；在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第一通孔，除光刻胶；在第一氧化层表面，形成第...
王颖杨晓亮曹菲刘云涛邵磊
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一种用于有源像素传感器的绝缘体上硅结构形成方法
本发明涉及有源像素传感器领域，特别涉及一种将图像传感器中的部分耗尽（PD）型和全耗尽（FD）型MOS器件在同一绝缘体上硅（SOI）基底实现的SOI结构生成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成...
王颖杨晓亮曹菲邵磊刘云涛
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一种用于有源像素传感器的绝缘体上硅结构形成方法
本发明涉及有源像素传感器领域，特别涉及一种将图像传感器中的部分耗尽（PD）型和全耗尽（FD）型MOS器件在同一绝缘体上硅（SOI）基底实现的SOI结构生成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成...
王颖杨晓亮曹菲邵磊刘云涛
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