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孔洁莹

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化铟
  • 1篇圆偏振
  • 1篇圆偏振光
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振光
  • 1篇偏振光谱
  • 1篇椭圆偏振
  • 1篇椭圆偏振光
  • 1篇椭圆偏振光谱
  • 1篇吸收光谱
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇INN薄膜
  • 1篇MOCVD

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇谢自力
  • 1篇张荣
  • 1篇修向前
  • 1篇郑有炓
  • 1篇孔洁莹
  • 1篇刘斌
  • 1篇张勇

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MOCVD制备InN薄膜的光学性质被引量：1
2007年
利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段,对采用金属有机物气相沉积法(MOCVD)制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究.吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.68eV,接近于现阶段主要报道值0.7eV.喇曼散射光谱实验说明窄光学带隙主要源于较低的背景电子浓度.利用椭圆偏振光谱不仅得到了纤锌矿InN临界点跃迁能量的值E0,同时首次得到了在0.65～4.0eV能量范围内复折射率实部n,虚部k的色散曲线.
孔洁莹张荣刘斌谢自力张勇修向前郑有炓
关键词：氮化铟吸收光谱光致发光谱椭圆偏振光谱
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