魏晓旭
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺更多>>
- Au的金属颗粒对二硫化钼发光增强被引量：5
- 2014年
- 二硫化钼(MoS2)是一种层状的二维过渡金属硫族化合物材料,从块体到单层,禁带由间接带隙变为直接带隙,由于通常机械剥落的单层MoS2是n型掺杂的,使得其发光效率仍然很低.在本文中,采用匀胶机旋涂的方法将共振吸收峰在514 nm附近的纳米金颗粒尽可能均匀的铺在单层、双层以及多层的MoS2样品表面,发现单层和双层样品的光致发光谱(PL谱)分别增强了约30倍和2倍同时伴随着峰位的蓝移,而多层样品的发光强度也略有增强.拉曼特性揭示了纳米金颗粒对单层和双层MoS2样品产生了明显的p型掺杂,从而增强了发光;同时纳米金颗粒的表面等离子激元效应对激发光的天线作用也是增强MoS2的光致发光的一个因素.
- 魏晓旭程英霍达张宇涵王军转胡勇施毅
- 关键词：二硫化钼光致发光P型掺杂
- 表面等离激元效应增强的硫化钼光致发光
- MoS2,一个层状的准二维硫化物材料[1],它的电学[2]和光学[3]的特性一直备受人们的关注.尤其是单层的硫化钼是直接带隙半导体,在发光领域将得到很好应用.我们的单层和多层硫化钼样品是从块状硫化钼上剥离,将其制备在具有...
- 魏晓旭杨鑫鑫邱浩霍达王军转王欣然胡勇施毅
- 高温氢退火还原V2O5制备二氧化钒薄膜及其性能的研究被引量：2
- 2013年
- 过渡金属氧化物二氧化钒(VO2)在温度340 K附近会发生金属绝缘体的转变(metal-insulator transition,MIT).基于金属绝缘体的转变性质,VO2薄膜材料具有很好的应用前景.本文首先采用脉冲激光沉积制备了高质量的V2O5薄膜,再通过高温氢退火还原V2O5薄膜制备出VO2多晶薄膜.研究了不同的退火温度、退火时间、退火气氛对VO2薄膜制备的影响,采用X射线衍射、X射线光电子能谱、变温电阻特性测量等手段对样品进行分析,发现在H2(5%)/Ar退火气氛下,在一定的退火温度范围内(500—525 C),退火3 h,得到了B相和M相共存的VO2薄膜,具有M相的VO2的MIT特性,而相同退火温度下退火时间达到4.5 h,薄膜完全变成B相的VO2.通过纯Ar气氛下对B相VO2再退火,得到了转变温度为350 K,电阻突变接近4个数量级的M相的VO2薄膜.实现了VO2的B相和M相的相互转变.
- 杨鑫鑫魏晓旭王军转施毅郑有炓
- 关键词：VO2薄膜
- 氢化碳化硅(Si_xC_(1-x):H)薄膜发光特性和纳米线发光增强研究被引量：2
- 2016年
- 氢化碳化硅薄膜作为一种宽带隙的半导体材料,具有优越的物理特性,其在光电子器件上的潜在应用引起了人们的兴趣。利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统制备了一系列氢化碳化硅薄膜,通过改变反应前驱物及流量比调节薄膜的室温光致发光性质。实验发现在一定范围内随着流量比R(CH_4/SiH_4)的提高,氢化碳化硅薄膜的光致发光峰位蓝移且发光强度增强;同时反应前驱物中的氢会极大影响氢化碳化硅薄膜的发光强度。通过椭偏仪(Ellipsometer)测量了薄膜的光学常数,发现薄膜沉积速率随着流量比R的增加而降低;傅里叶红外光谱仪(FTIR)测试表明Si-C有序度随着流量比的增加而增大。同时研究了三维纳米线结构对多态碳化硅薄膜发光性质的影响。光致发光测试结果表明三维纳米线结构可以有效提高薄膜的光致发光强度。
- 程英余忠卫魏晓旭杨华峰郭丹王军转余林蔚施毅
- 关键词：光致发光纳米线
- 喷射型电感耦合等离子体化学气相沉积法制备的富锗微晶硅锗薄膜在退火过程中的结构演化
- 汪煜杨濛王刚魏晓旭王军转李昀郑有炓施毅
