杨鑫鑫
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 表面等离激元效应增强的硫化钼光致发光
- MoS2,一个层状的准二维硫化物材料[1],它的电学[2]和光学[3]的特性一直备受人们的关注.尤其是单层的硫化钼是直接带隙半导体,在发光领域将得到很好应用.我们的单层和多层硫化钼样品是从块状硫化钼上剥离,将其制备在具有...
- 魏晓旭杨鑫鑫邱浩霍达王军转王欣然胡勇施毅
- 高温氢退火还原V2O5制备二氧化钒薄膜及其性能的研究被引量：2
- 2013年
- 过渡金属氧化物二氧化钒(VO2)在温度340 K附近会发生金属绝缘体的转变(metal-insulator transition,MIT).基于金属绝缘体的转变性质,VO2薄膜材料具有很好的应用前景.本文首先采用脉冲激光沉积制备了高质量的V2O5薄膜,再通过高温氢退火还原V2O5薄膜制备出VO2多晶薄膜.研究了不同的退火温度、退火时间、退火气氛对VO2薄膜制备的影响,采用X射线衍射、X射线光电子能谱、变温电阻特性测量等手段对样品进行分析,发现在H2(5%)/Ar退火气氛下,在一定的退火温度范围内(500—525 C),退火3 h,得到了B相和M相共存的VO2薄膜,具有M相的VO2的MIT特性,而相同退火温度下退火时间达到4.5 h,薄膜完全变成B相的VO2.通过纯Ar气氛下对B相VO2再退火,得到了转变温度为350 K,电阻突变接近4个数量级的M相的VO2薄膜.实现了VO2的B相和M相的相互转变.
- 杨鑫鑫魏晓旭王军转施毅郑有炓
- 关键词：VO2薄膜
