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程英

作品数:2 被引量:7H指数:2
供职机构:南京大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 1篇氢化
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化钼
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇金属
  • 1篇金属颗粒
  • 1篇二硫化钼
  • 1篇发光特性
  • 1篇P型
  • 1篇P型掺杂
  • 1篇SI
  • 1篇XC
  • 1篇AU
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇南京大学

作者

  • 2篇魏晓旭
  • 2篇王军转
  • 2篇施毅
  • 2篇程英
  • 1篇胡勇
  • 1篇余林蔚
  • 1篇霍达
  • 1篇张宇涵
  • 1篇郭丹
  • 1篇杨华峰

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
氢化碳化硅(Si_xC_(1-x):H)薄膜发光特性和纳米线发光增强研究被引量:2
2016年
氢化碳化硅薄膜作为一种宽带隙的半导体材料,具有优越的物理特性,其在光电子器件上的潜在应用引起了人们的兴趣。利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统制备了一系列氢化碳化硅薄膜,通过改变反应前驱物及流量比调节薄膜的室温光致发光性质。实验发现在一定范围内随着流量比R(CH_4/SiH_4)的提高,氢化碳化硅薄膜的光致发光峰位蓝移且发光强度增强;同时反应前驱物中的氢会极大影响氢化碳化硅薄膜的发光强度。通过椭偏仪(Ellipsometer)测量了薄膜的光学常数,发现薄膜沉积速率随着流量比R的增加而降低;傅里叶红外光谱仪(FTIR)测试表明Si-C有序度随着流量比的增加而增大。同时研究了三维纳米线结构对多态碳化硅薄膜发光性质的影响。光致发光测试结果表明三维纳米线结构可以有效提高薄膜的光致发光强度。
程英余忠卫魏晓旭杨华峰郭丹王军转余林蔚施毅
关键词:光致发光纳米线
Au的金属颗粒对二硫化钼发光增强被引量:5
2014年
二硫化钼(MoS2)是一种层状的二维过渡金属硫族化合物材料,从块体到单层,禁带由间接带隙变为直接带隙,由于通常机械剥落的单层MoS2是n型掺杂的,使得其发光效率仍然很低.在本文中,采用匀胶机旋涂的方法将共振吸收峰在514 nm附近的纳米金颗粒尽可能均匀的铺在单层、双层以及多层的MoS2样品表面,发现单层和双层样品的光致发光谱(PL谱)分别增强了约30倍和2倍同时伴随着峰位的蓝移,而多层样品的发光强度也略有增强.拉曼特性揭示了纳米金颗粒对单层和双层MoS2样品产生了明显的p型掺杂,从而增强了发光;同时纳米金颗粒的表面等离子激元效应对激发光的天线作用也是增强MoS2的光致发光的一个因素.
魏晓旭程英霍达张宇涵王军转胡勇施毅
关键词:二硫化钼光致发光P型掺杂
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