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陶伯睿

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:华东师范大学更多>>

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电器件
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇刻蚀
  • 2篇机电器件
  • 2篇硅纳米线
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片表面

机构

  • 2篇华东师范大学

作者

  • 2篇张健
  • 2篇龚文莉
  • 2篇李辉麟
  • 2篇陶伯睿
  • 2篇万丽娟
  • 2篇蒋珂玮

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种选择性刻蚀硅纳米线的方法
本发明针对现有技术所存在的缺陷和市场需求,公开了一种选择性刻蚀硅纳米线的方法,其包括以下顺序步骤:a)采用“自上而下”的标准微电子加工工艺在硅片表面开窗口;b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀...
万丽娟龚文莉陶伯睿蒋珂玮李辉麟张健
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一种选择性刻蚀硅纳米线的方法
本发明针对现有技术所存在的缺陷和市场需求,公开了一种选择性刻蚀硅纳米线的方法,其包括以下顺序步骤:a)采用“自上而下”的微电子加工工艺在硅片表面开窗口;b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳...
万丽娟龚文莉陶伯睿蒋珂玮李辉麟张健
文献传递
共1页<1>
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