您的位置： 专家智库 > >

李辉麟

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：华东师范大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 13篇纳米
  • 11篇纳米线
  • 9篇硅纳米线
  • 7篇刻蚀
  • 6篇电路
  • 6篇电路工艺
  • 6篇线阵列
  • 6篇纳米线阵列
  • 6篇集成电路
  • 6篇集成电路工艺
  • 4篇电化学
  • 4篇电化学刻蚀
  • 4篇退火
  • 4篇热退火
  • 4篇快速热退火
  • 3篇湿度传感器
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇电器件

机构

  • 13篇华东师范大学

作者

  • 13篇李辉麟
  • 10篇张健
  • 8篇陶佰睿
  • 8篇苗凤娟
  • 8篇万丽娟
  • 2篇胡文婷
  • 2篇郁可
  • 2篇陈雪皎
  • 2篇龚文莉
  • 2篇姚伟
  • 2篇尚德建
  • 2篇陶伯睿
  • 2篇吴晋
  • 2篇徐建文
  • 2篇蒋珂玮

年份

  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 5篇2008
共 13 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
周期性SnO<Sub>2</Sub>“之字型”纳米带及其制备方法
本发明公开了一种周期性SnO<Sub>2</Sub>“之字型”纳米带，这种SnO<Sub>2</Sub>“之字型”纳米带，是通过在SnO<Sub>2</Sub>粉和石墨粉原料中掺入少量CuO粉作为“之字型”结构的催化剂，...
吴晋郁可尚德建徐建文李辉麟胡文婷
文献传递
一种选择性刻蚀硅纳米线的方法
本发明针对现有技术所存在的缺陷和市场需求，公开了一种选择性刻蚀硅纳米线的方法，其包括以下顺序步骤：a)采用“自上而下”的标准微电子加工工艺在硅片表面开窗口；b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀...
万丽娟龚文莉陶伯睿蒋珂玮李辉麟张健
文献传递
一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法
本发明公开了一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，主要采用化学湿法刻蚀技术在硅衬底上制作出硅纳米线阵列，然后应用无磷镀液在其上进行无电镍薄膜的沉积，最后通过RTA强化镍-硅纳米线结构的稳定性。该发明有如下特点：1、与集...
陶佰睿苗凤娟李辉麟万丽娟张健
文献传递
周期性SnO<Sub>2</Sub>“之字型”纳米带及其制备方法
本发明公开了一种周期性SnO<Sub>2</Sub>“之字型”纳米带，这种SnO<Sub>2</Sub>“之字型”纳米带，是通过在SnO<Sub>2</Sub>粉和石墨粉原料中掺入少量CuO粉作为“之字型”结构的催化剂，...
吴晋郁可尚德建徐建文李辉麟胡文婷
文献传递
硅纳米线上无电沉积镍技术及基于这种技术的热电功率器件
本发明公开了一种硅纳米线上无电沉积镍技术以及基于这种技术的热电功率器件，本发明制作工艺与MEMS工艺兼容，主要采用电化学刻蚀方法，成本低，操作简单，实现容易。主要是在体硅材料上室温下合成硅纳米线阵列，其纳米线平均高度约3...
陶佰睿苗凤娟李辉麟万丽娟张健
文献传递
基于纳米硅的传感器研究
随着现代信息技术的发展和环境监测等领域对信息获取精准度要求的不断提高,人们对信息感知器件的性能、结构及尺寸等方面的要求也越来越高。尤其是在环境监测领域,在湿度的检测与监控过程中,对湿度传感器的响应速度、稳定性、灵敏度以及...
李辉麟
关键词：硅纳米线湿法刻蚀
文献传递
一种选择性刻蚀硅纳米线的方法
本发明针对现有技术所存在的缺陷和市场需求，公开了一种选择性刻蚀硅纳米线的方法，其包括以下顺序步骤：a)采用“自上而下”的微电子加工工艺在硅片表面开窗口；b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳...
万丽娟龚文莉陶伯睿蒋珂玮李辉麟张健
文献传递
一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法以及基于这种纳米线阵列的微纳湿度传感器
本发明公开了一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法，以及基于这种纳米线阵列的微纳湿度传感器。该器件是在N型硅衬底上采用电化学刻蚀技术制作大面积硅纳米线阵列，然后在该阵列上无电镀沉积镍薄膜。由于该结构具有大的长径比和比表面积，...
陶佰睿苗凤娟李辉麟万丽娟张健
文献传递
一种氧化亚镍/硅纳米线和制备方法及应用于制备可集成超级电容器电极材料
本发明公开了一种氧化亚镍/硅纳米线(NiO/SiNWs)及将这种材料应用于制备高性能可集成超级电容器电极材料。其制备方法包括如下步骤：(1)以硅纳米线为骨架，在硅纳米线上以无电镀技术沉积镍薄膜，制得镍-硅纳米线复合物；(...
陶佰睿苗凤娟李辉麟姚伟陈雪皎张健
文献传递
一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法
本发明公开了一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，主要采用化学湿法刻蚀技术在硅衬底上制作出硅纳米线阵列，然后应用无磷镀液在其上进行无电镍薄膜的沉积，最后通过RTA强化镍－硅纳米线结构的稳定性。该发明有如下特点：1.与集...
陶佰睿苗凤娟李辉麟万丽娟张健
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0