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李先杭

作品数:14 被引量:66H指数:3
供职机构:浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划博士科研启动基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信动力工程及工程热物理理学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 5篇电气工程
  • 4篇电子电信
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电池
  • 6篇太阳电池
  • 4篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇氧沉淀
  • 2篇直拉硅
  • 2篇直拉硅单晶
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇光电
  • 2篇硅单晶
  • 2篇发光
  • 2篇P型
  • 2篇
  • 2篇LED
  • 1篇单晶硅太阳电...
  • 1篇低维
  • 1篇电池材料
  • 1篇电注入
  • 1篇多量子阱

机构

  • 14篇浙江大学

作者

  • 14篇李先杭
  • 7篇杨德仁
  • 7篇汪雷
  • 6篇叶志镇
  • 5篇席珍强
  • 5篇陈君
  • 5篇黄靖云
  • 5篇朱丽萍
  • 4篇赵炳辉
  • 3篇张银珠
  • 3篇吕建国
  • 2篇何海平
  • 2篇应啸
  • 2篇季振国
  • 2篇曾昱嘉
  • 2篇王莉蓉
  • 2篇阙端麟
  • 1篇汤建飞
  • 1篇蒋敏
  • 1篇蒋敏

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇太阳能学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国第六届光...
  • 1篇中国第六届光...
  • 1篇中国太阳能学...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1900
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
先进高真空化学气相沉积系统研发及应用
叶志镇黄靖云雷震霖赵科新汪雷张振厚吴光豪汤建飞赵炳辉张银珠李先杭朱丽萍胡幸鸣
该项目属于薄膜材料先进制备技术领域。国内首先提出高真空技术和化学气相沉积相结合的概念,发展了一种高真空和超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)薄膜新技术。已授权专利4项,其中国家发明专利2项。1996年该项目自主设计、创...
关键词:
关键词:高真空化学气相沉积
MOCVD法制备ZnO同质发光二极管被引量:15
2005年
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
叶志镇徐伟中曾昱嘉江柳赵炳辉朱丽萍吕建国黄靖云汪雷李先杭
关键词:ZNOLEDP型掺杂金属有机化学气相沉积
硅基光电薄膜异质生长及其应用基础研究
叶志镇黄靖云赵炳辉张昊翔马德伟汪雷朱丽萍何军辉季振国李先杭
硅是当前微电子器件与集成电路的重要基础材料,在硅基上异质生长光电晶体薄膜、并实现其单片光电集成是半导体和光电子科学领域中多年来一直积极探索并期待解决的重大研究课题。新型宽禁带半导体GaN、ZnO及其合金晶体薄膜是紫蓝光发...
关键词:
关键词:硅基光电薄膜
单晶硅太阳电池的表面织构化被引量:39
2002年
一种新型的腐蚀剂 ,磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液 ,首次被用来腐蚀单晶硅太阳电池。在 70℃下 ,用 3%的磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液腐蚀 2 5min就能在硅片表面形成金字塔大小均匀、覆盖率高的绒面结构 ,并且其表面反射率也很低。通过SEM观察发现 :开始时 ,随着腐蚀时间的增加 ,金字塔的密度越来越大 ,最后达到饱和 ;而且对于不同的浓度 ,温度 ,这种饱和时间不同 ;如果腐蚀时间过长 ,金字塔的顶部就会发生崩塌 ,从而导致表面发射率的升高。虽然异丙醇 (IPA)在氢氧化钠 (NaOH)溶液中会明显地改善织构化的效果 ,但是在磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液中却会对织构化有很强的负面效应。最后 ,在实验的基础上对腐蚀机理进行了深入地探讨并认为 :择优腐蚀是金字塔形成的最基本的原因 ,而缺陷、PO3 -4 或HPO2 -4 和异丙醇等仅仅是促进大金字塔形成的原因。这种腐蚀剂的成本很低 ,不易污染工作环境且可重复性好 ,所以有可能用于大规模生产。
席珍强杨德仁吴丹张辉陈君李先杭黄笑容蒋敏阙端麟
关键词:单晶硅织构磷酸钠
铸造多晶硅太阳电池表面积构化的研究
本文就铸造多晶硅太阳电池材料进行全面的化学腐蚀织构化实验,得到了以下结论:(1)分别用碱和酸对其进行了腐蚀织构化的对比试验,指出了酸腐蚀能得到均匀的织构;(2)比较了不同浓度配比的酸混合液对多晶硅的腐蚀效果,初步确定酸腐...
陈君席珍强杨德仁李先杭
关键词:太阳电池电池材料化学腐蚀光电转换
文献传递
UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究被引量:6
1998年
本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统,在780℃下进行了硅低温外延,取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好。
叶志镇曹青张侃陈伟华汪雷李先杭赵炳辉李剑光卢焕明
关键词:UHV/CVDULSI
太阳电池用直拉硅单晶中氧和氧沉淀
利用热处理方法,借助于红外光谱仪、扫描电镜等研究了太阳电池用直拉硅单晶中氧和氧沉淀性质.
杨德仁王莉蓉李先杭
关键词:太阳电池氧沉淀红外光谱仪
铸造多晶硅太阳电池表面织构化的研究
<正>1 引言 自70年代中期开始地面用太阳电池商品化以来,全世界太阳电池的年产量以18%的平均速率增加,而同时其成本则以7.5%的平均速率下降。高效率、低成本,是太阳电池发展的主要趋势,在材料方面,目前主要集中于研究以...
陈君席珍强杨德仁李先杭
文献传递
太阳电池用直拉硅单晶中氧沉淀的研究被引量:3
2001年
主要通过单步退火与二步退火的方法 ,借助于红外光谱仪、扫描电镜等研究了太阳电池用直拉硅单晶中氧沉淀性质 ,发现太阳电池用直拉硅单晶氧沉淀的过程不同于微电子用直拉硅单晶 ,尽管碳浓度很高 ,经过单步退火处理没有氧沉淀生成。这被认为由于晶体生长速度快等原因 ,太阳能用硅单晶的原生氧沉淀很少 ,氧沉淀缺乏原始核心的缘故。而经过 75 0℃预退火 ,生成氧沉淀核心 ,太阳能用硅单晶中也有大量的氧沉淀产生。研究表明 ,如果太阳电池工艺中硅片仅经 80 0~ 110 0℃的单步热处理 ,太阳能用直拉硅单晶中的氧可能对太阳电池的效率没有影响。
王莉蓉杨德仁应啸李先杭
关键词:太阳能电池氧沉淀退火硅单晶硅太阳能电池
Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光被引量:2
2008年
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.
叶志镇林时胜何海平顾修全陈凌翔吕建国黄靖云朱丽萍汪雷张银珠李先杭
关键词:LEDP型ZNO
共2页<12>
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