席珍强
- 作品数：152 被引量：317H指数：11
- 供职机构：浙江理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理理学更多>>
- 碱浸提取碲的工艺研究被引量：4
- 2013年
- 运用正交法,对碱浸提取碲的工艺进行了优化。考察了浸出温度、NaOH浓度、液固比、浸出时间对Te浸出率的影响。同时对最佳浸出工艺下主要杂质元素Si、Se、Cu的浸出进行了研究。结果表明:浸出温度、NaOH浓度、液固比、浸出时间对Te的浸出率无显著影响。碱浸提取碲的最佳浸出工艺为:浸出温度95℃,NaOH浓度3moL/L,液固比6∶1,浸出时间3h。此工艺条件下浸出液中Si、Se含量较高,进行后续碲的提取工艺前需除杂。
- 王少锋汪琼杨静静张存磊席珍强
- 关键词：碱浸碲浸出率
- 一种活性炭纤维表面的YBO<sub>3</sub>晶体薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种活性炭纤维表面的YBO<Sub>3</Sub>晶体薄膜及其制备方法。将等物质量的六水硝酸钇和硼酸溶于去离子水中，溶液中钇离子的摩尔浓度为0.01～0.025摩尔/升；加入摩尔数为钇离子摩尔数2.5~5倍的...
- 金达莱王彪王龙成汪丽娜席珍强
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- 一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅
- 本发明公开的掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅，含有浓度为1×10<Sup>15</Sup>～1×10<Sup>17</Sup>/cm<Sup>3</Sup>的磷或硼，其特征是还含有浓度为1×10<Sup>16</Sup>～1×...
- 杨德仁朱鑫汪雷席珍强阙端麟
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- 一种往复式高温合成装置
- 本发明公开了一种往复式高温合成装置。在左右两根钢架上安装工作台，工作台上安装导轨，加热炉能在导轨上作左右往复移动，工作台的两端分别装有炉管的支撑架，两个结构相同的炉管内分别设置能拆装的反应管，两个炉管的外侧出口端均安装密...
- 杜平凡席珍强姚剑徐敏姚晓辉姚奎鸿
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- 单晶硅中过渡族金属镍对洁净区形成的影响(英文)
- 2006年
- 研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生缺陷能有效地吸杂金属镍;而沾污金属镍的硅中,随后的快速热处理工艺不能形成MDZ,硅片近表面出现大量沉淀.采用传统的内吸杂工艺,镍沾污的次序对洁净区的形成没有影响.实验表明由于硅片表面形成的镍硅化合物的晶格常数比硅小,所以在硅片近表面产生高浓度的空位,导致近表面的氧依然能够在MDZ工艺中形成沉淀.
- 吴冬冬杨德仁席珍强阙端麟钟尧
- 关键词：单晶硅金属镍
- 利用有机添加剂控制氧化亚铜晶体外部形态的制备方法
- 本发明公开了一种利用有机添加剂控制氧化亚铜晶体外部形态的制备方法。将硫酸铜溶于水中，搅拌；再加入摩尔数为硫酸铜8～10倍的乳酸钠，继续搅拌；利用摩尔浓度为4.0摩尔/升的氢氧化钠调节溶液的pH值为7.0；在溶液中加入5～...
- 王龙成贾红黄海俞晓晶金达莱席珍强
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- 活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
- 本发明公开了一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法。先对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理；再将清洗后的活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中，系统抽真空至5×10<Sup>－3</Sup>Pa，以硅烷和氨气为反应气源...
- 杜平凡席珍强王龙成徐敏汪新颜姚剑
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- 一种镧系稀土锡酸盐纳米粉体的通用合成方法
- 本发明公开了一种镧系稀土锡酸盐纳米粉体的通用合成方法。将镧系稀土硝酸盐(Ln(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>，Ln＝La-Lu)溶于去离子水中，再加入与镧系稀土硝酸盐相同摩尔数的锡酸钠或锡酸钾，搅...
- 祝洪良朱鲁明杨红姚奎鸿金达莱席珍强
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- 一种碳氮化硅薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种碳氮化硅薄膜的制备方法。采用N<Sub>2</Sub>稀释的SiH<Sub>4</Sub>气体(SiH<Sub>4</Sub>浓度10%)作为Si源和N源，以高纯CH<Sub>4</Sub>为C源，按不同...
- 席珍强徐敏杜平凡姚剑
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- 一种掺钐氧化钆蓝光发光薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种掺钐氧化钆蓝光发光薄膜及其制备方法。在金衬底上沉积一层掺钐氧化钆蓝光发光薄膜。选择可溶性钆盐溶液和可溶性钐盐为原料，利用电化学方法在金衬底上进行薄膜沉积。将三电极插入钆盐和钐盐的混合均匀溶液中，在50℃－...
- 王龙成贾红俞晓晶张亚萍金达莱王耐艳席珍强
- 文献传递
