张小雷
- 作品数：19 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术更多>>
- InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法
- 本发明公开了一种InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部淀积有阳极(5)，n型...
- 杨翠马京立张延涛毛维张小雷孟超刘鹏张建奇
- 文献传递
- InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器量子效率计算研究被引量：2
- 2016年
- 首先分析了量子效率计算的相关理论,然后分析利用红外中波In As/Ga SbⅡ类超晶格材料进行光伏探测器研制,在对器件进行电学性能测试及光谱响应测试基础上,利用理论分析和测试数据计算出研制器件的实际电流响应率,再将实际电流响应率与理论分析的电流响应率相比,同时消除芯片表面Si O2钝化层光学透过率的影响,计算出器件对红外波段2~6μm辐射响应的量子效率最高可达35%,达到了国外同类型器件响应的量子效率指标。本文的研究为评价In As/Ga SbⅡ类超晶格红外探测器的光电转换性能提供了一种有效的方法。
- 张磊张亮张小雷姚官生彭震宇
- 关键词：电性能测试光谱响应量子效率
- InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法
- 本发明公开了一种InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部淀积有阳极(5)，n型...
- 杨翠马京立张延涛毛维张小雷孟超刘鹏张建奇
- 文献传递
- Hg_3In_2Te_6晶体欧姆接触及电学特性
- 2011年
- 碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究In/HgInTe欧姆接触特性,首先运用热电子蒸发技术在单晶Hg3In2Te6表面形成了In/Hg3In2Te6接触,运用传输线模型(TLC)对In/Hg3In2Te6欧姆接触特性进行了分析,结果表明:In/Hg3In2Te6形成了欧姆接触,接触电阻率为6.71×10-2Ω·cm2,粘附性好,电极质量理想,满足于欧姆电极性质的要求。并在此基础上对Hg3In2Te6材料的电学性能运用范德堡方法进行了测试,测试结果表明:Hg3In2Te6单晶在室温下的导电类型为n型,电阻率为6.16×102Ω·cm,载流子浓度为2.888×1013cm-3,载流子迁移率为350cm2/(V·s)。实验表明:该样品载流子浓度降低后,漏电流减小,探测器的噪声降低,从而探测器的能量分辨率得到了提高。
- 张小雷孙维国张亮张向锋丁嘉欣
- 关键词：欧姆接触传输线模型接触电阻率
- ITO/HgInTe肖特基的光电特性被引量：4
- 2008年
- 碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层。运用直流平面磁控溅射技术和热电子蒸发技术分别在单晶HgInTe表面形成了ITO(SnO2+In2O3)/HgInTe和In/HgInTe接触,利用I-V测试仪对其I-V特性进行测量,运用能带结构和异质结理论对测量的I-V结果进行了描述,测量结果符合热电子发射理论。结果表明:ITO/HgInTe形成具有整流特性的肖特基接触,通过计算得到了ITO/HgInTe的肖特基势垒高度为0.506eV,理想因子n为3.2,串联电阻Rs为2600Ω;In/HgInTe形成欧姆接触。并且发现了在波长1.55μm处有很好的响应光谱,同时室温下峰值探测率D*λ达到了1011cm·Hz1/2·W-1。
- 张小雷孙维国鲁正雄张亮赵岚孟超丁嘉欣
- 关键词：ITO肖特基接触欧姆接触响应光谱
- Pt/Hg_3In_2Te_6接触的温度特性研究被引量：2
- 2009年
- 运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极，形成Pt／Hg3In2Te6接触，采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性进行测量。根据热电子发射模型，计算得到了Pt／Hg3In2Te6的肖特基势垒高度。结果表明：Pt／Hg3In2Te6形成具有整流特性的肖特基接触，肖特基势垒高度为0，46eV。在120—260K温度范围内，理想因子随温度增大逐渐从2．93减小至1．42。将Hg3In2Te6单晶制成红外探测器，发现了响应光谱在波长1．55μm处峰值达到最大，在室温下峰值探测率D＋达到了10^11cm·Hz^1/2·W-1。
- 张小雷孙维国鲁正雄张亮赵岚丁嘉欣
- 关键词：肖特基接触响应光谱
- 红外探测器阵列及其制作方法
- 本发明公开了一种红外探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；台面(2)上部淀积有阳极(5)，n型InSb衬底(1)...
- 杨翠张延涛马京立陈园园陈晓冬孟超张小雷毛维吕衍秋司俊杰
- 文献传递
- 光伏型探测器阵列及其制作方法
- 本发明公开了一种光伏型探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部均淀积有阳极(5)，n型InSb衬...
- 杨翠马京立林宏杰张延涛马琳张小雷孟超陈晓冬吕衍秋司俊杰
- 文献传递
- Pt/HgInTe肖特基红外探测器的抗辐照特性被引量：4
- 2009年
- 碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究γ辐照对碲铟汞肖特基红外探测器的影响,首先运用直流平面磁控溅射技术在单晶HgInTe表面形成了Pt/Hg3In2Te6接触,然后对HgInTe晶片及其制作的Pt/HgInTe肖特基器件用不同剂量的γ射线进行辐照,利用I-V测试仪对其辐照前后的I-V特性进行测量,得到了辐照前后的反向漏电流,利用傅里叶红外光谱仪对辐照前后的响应光谱进行了对比,发现在短波方向响应光谱随辐照剂量的增大明显下降,但辐照剂量对于峰值波长的位置和截止波长的位置基本上没有明显影响,同时对辐照前后器件的探测率进行了对比,发现探测率随着辐照剂量的增大有所下降,但下降幅度和器件本身性能有关。最后对γ辐照引起探测器性能变化的辐照损伤机制进行了探讨,认为HgInTe在辐照剂量达到1×108rad(Si)时,其性能也没有数量级的变化,具有很好的抗辐照特性。
- 张小雷孙维国鲁正雄张亮赵岚丁嘉欣
- 关键词：Γ射线辐照肖特基接触响应光谱
- 光伏型探测器阵列及其制作方法
- 本发明公开了一种光伏型探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部均淀积有阳极(5)，n型InSb衬...
- 杨翠马京立林宏杰张延涛马琳张小雷孟超陈晓冬吕衍秋司俊杰
- 文献传递
