丁嘉欣
- 作品数：21 被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
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- 高Al组分AlGaN肖特基二极管研制
- 2007年
- 制备了高Al组分AlxGa1-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化。计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2。
- 赵鸿燕司俊杰丁嘉欣成彩晶张亮张向锋陈慧娟
- 关键词：势垒高度
- Al_(0.3)Ga_(0.7)NMSM紫外探测器研究被引量：2
- 2006年
- 用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1V偏压下305nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结构参数,尽量减小叉指电极的宽度。为了检验Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基接触特性,电击穿MSM右边结,由正向I-V特性曲线计算出理想因子n～1.05,零偏势垒高度φB0～1.16eV,表明形成的Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基结较为理想。
- 成彩晶司俊杰鲁正雄郭云芝赵鸿燕赵岚丁嘉欣孙维国陈志忠张国义
- 关键词：MSM暗电流光谱响应势垒高度
- 背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器被引量：1
- 2008年
- 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm.Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.
- 成彩晶丁嘉欣张向锋赵鸿燕鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义
- 关键词：外量子效率探测率
- 一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法
- 本发明涉及一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法，该方法通过仅有的一次掩膜光刻形成微透镜最内层环带，然后通过负性光刻胶背面曝光显影用作掩膜层，再经腐蚀、背面曝光显影，刻蚀形成基底的图形，然后进行循环得到按次序从...
- 侯治锦司俊杰韩德宽陈洪许吕衍秋丁嘉欣张向锋姚官生王理文杨雪峰耿东锋
- 文献传递
- 一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化方法
- 本发明涉及一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化的方法，其过程如下：先清洗GaN基样片并生长好干法刻蚀阻挡层，然后涂光刻胶，光刻并腐蚀阻挡层至露出需要干法刻蚀的区域，并去除光刻胶；再对样片用干法刻蚀进行刻蚀，要求刻蚀深度...
- 张向锋吕衍秋成彩晶张亮丁嘉欣鲁正雄孙维国
- p-GaN/Au欧姆接触的研究被引量：1
- 2006年
- 本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究．用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0．045Ω·cm^2的欧姆接触．接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小．在700℃温度下退火5min后,接触电阻率最小,其值为0．034Ω·cm^2,而在900℃温度下退火5min后,I-V特性曲线是非线性的。分析表明,在700℃温度下退火后,p-GaN/Au的界面间的反应使接触面增大,而在900℃温度下退火后,p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位,这是p-GaN/Au接触电阻率变化的主要原因．
- 成彩晶司俊杰鲁正雄赵鸿燕赵岚丁嘉欣孙维国陈志忠张国义
- 关键词：表面处理接触电阻率I-V特性
- 一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片
- 本发明涉及一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片，属于半导体光电探测器制造技术领域。本发明的InAlSb芯片的制备方法包括以下步骤：1)在InAlSb基底上制备掩膜层，在掩膜层上光刻掩膜图形，得图形基底；2)采...
- 陶飞何英杰张向锋李墨彭震宇丁嘉欣姚官生张亮曹先存吕衍秋朱旭波张利学
- 文献传递
- Pt/Hg_3In_2Te_6接触的温度特性研究被引量：2
- 2009年
- 运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极，形成Pt／Hg3In2Te6接触，采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性进行测量。根据热电子发射模型，计算得到了Pt／Hg3In2Te6的肖特基势垒高度。结果表明：Pt／Hg3In2Te6形成具有整流特性的肖特基接触，肖特基势垒高度为0，46eV。在120—260K温度范围内，理想因子随温度增大逐渐从2．93减小至1．42。将Hg3In2Te6单晶制成红外探测器，发现了响应光谱在波长1．55μm处峰值达到最大，在室温下峰值探测率D＋达到了10^11cm·Hz^1/2·W-1。
- 张小雷孙维国鲁正雄张亮赵岚丁嘉欣
- 关键词：肖特基接触响应光谱
- 背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器被引量：1
- 2009年
- 在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。
- 丁嘉欣成彩晶张向锋张晓兵鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义
- 关键词：ALGAN探测器
- 一种制备Au/n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N横向肖特基二极管的方法
- 2006年
- 用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管。器件在零偏电压处的背景光电流为87.3pA。从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS分别为1.99、0.788 eV和10.2 kΩ。器件在305 nm波长处有陡峭的截止边,300 nm峰值波长处电流响应率为0.034 A/W。
- 成彩晶鲁正雄司俊杰赵鸿燕赵岚丁嘉欣孙维国陈志忠张国义
- 关键词：MSM势垒高度光谱响应
