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杨翠

作品数：132 被引量：189H指数：5
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程兵器科学与技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 120篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 47篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇电气工程
  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 61篇势垒
  • 54篇场板
  • 41篇晶体管
  • 38篇势垒层
  • 36篇功率器件
  • 29篇开关器件
  • 29篇空场
  • 28篇异质结
  • 28篇半导体
  • 26篇化合物半导体
  • 25篇淀积
  • 22篇电力
  • 22篇电力电子
  • 22篇电力电子系统
  • 21篇场效应
  • 19篇电子迁移率
  • 19篇迁移率
  • 19篇场效应晶体管
  • 18篇异质结场效应...
  • 18篇肖特基

机构

  • 132篇西安电子科技...
  • 1篇中国航空工业...
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇中国空空导弹...

作者

  • 132篇杨翠
  • 112篇毛维
  • 96篇郝跃
  • 49篇张进成
  • 38篇马佩军
  • 33篇杜鸣
  • 29篇过润秋
  • 18篇张建奇
  • 15篇马晓华
  • 14篇张延涛
  • 13篇郑雪峰
  • 10篇张金风
  • 10篇王冲
  • 8篇张小雷
  • 7篇孟超
  • 5篇许晟瑞
  • 5篇李倩
  • 5篇司俊杰
  • 5篇吕衍秋
  • 5篇张鹏

传媒

  • 3篇西安电子科技...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇光电工程
  • 1篇航空兵器
  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 6篇2024
  • 6篇2023
  • 18篇2022
  • 9篇2021
  • 8篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 15篇2017
  • 5篇2016
  • 14篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 15篇2010
  • 16篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2006
共 132 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件及其制作方法
本发明公开了一种基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，沟道层和势垒层的两侧刻...
毛维杨翠艾治州郝跃郑雪峰
文献传递
兼容DVB-S2X标准的全码率BCH编译码器设计与FPGA实现
欧洲电信标准化协会（ETSI）于2014年正式发布了欧洲数字电视卫星广播第二代标准的扩展标准（Digital Video Broadcasting Satellite-2nd Generation Extension， ...
杨翠
关键词：前向纠错编译码器软判决级联码
结型栅-漏功率器件
本发明公开了一种结型栅‑漏功率器件，主要解决现有功率开关器件存在阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、栅槽(4)、漏槽(5)、P型层(6)、栅柱(7)、N型漏柱(8)...
毛维高北鸾杨翠马佩军张金风郑雪峰王冲张进成马晓华郝跃
文献传递
混合阵列终端功率器件及其制作方法
本发明公开了一种混合阵列终端功率器件及其制作方法，主要解决现有肖特基二极管开启电压高、输出电流小和反向漏电大的问题，其包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层；钝化层的左侧设有阴极槽，阴极槽上方设有阴极；钝化层的右侧设置有欧姆...
毛维杨卿慧杨翠杜鸣史江义马佩军张进成郝跃
凹槽绝缘栅型源－漏复合场板高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种凹槽绝缘栅型源－漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、源场板(10)、漏场板(12...
毛维杨翠郝跃过润秋
文献传递
复合双向开关及其制作方法
本发明公开了一种复合双向开关，主要解决现有开关器件存在不能同时进行双向导通和双向阻断的问题。其包括：衬底、过渡层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层和第二势垒层，沟道层与势垒层的左、右两侧均设有第一台面，其上分别设有左、...
毛维裴晨杨翠杜鸣马佩军许晟瑞张进成郝跃
绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管
本发明公开了一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该源场板(...
毛维郝跃杨翠过润秋张进成马晓华许晟瑞
文献传递
T形漏场板异质结功率器件及其制作方法
本发明公开了一种T形漏场板异质结功率器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8...
毛维杨翠张延涛范举胜张进成郝跃
文献传递
一种CMOS图像传感器像素结构及其制作方法
本发明公开了一种CMOS图像传感器像素结构及其制作方法，主要解决现有技术信号采集速度慢、信号电荷回流和电荷转移效率低的问题，其包括:衬底(1)、外延层(2)、浅沟槽隔离层(3)、栅氧化层(4)、多晶硅栅(5)和钝化层(6...
杨翠彭国良陈育良毛维张建奇
文献传递
凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件
本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、栅场板和保护层，势垒层上开有凹槽，绝缘槽栅位于凹槽上部的绝缘介质层上，栅场板位于钝...
郝跃毛维过润秋马晓华张进成杨翠
文献传递
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