孟超
- 作品数：16 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术理学航空宇航科学技术更多>>
- InSb多元探测器玻璃杜瓦贮存寿命研究被引量：1
- 2020年
- InSb红外探测器是红外系统的核心部件,探测器的寿命在很大程度上决定着系统的寿命,直接影响着系统的使用及保障。因此,探测器的寿命如何评价及采用何种试验方法来评价至关重要,但由于红外系统的敏感性,可查阅的国外资料比较少,并且寿命试验周期长、费用高,国内至今未形成有效的寿命试验、分析与评价方法。本文采用15个InSb多元探测器开展了贮存试验研究,应力水平分别为70℃、80℃、90℃。测试试验过程中不同温度下热负载的变化,对试验数据进行统计分析及处理,获得了寿命加速模型t=2.18×10^-8·exp(0.79/KT),激活能为0.79 eV,评估了探测器在30℃下寿命可以达到30.76年。
- 王洋张宏飞孟超司俊杰
- 关键词：探测器INSB
- 红外探测器阵列及其制作方法
- 本发明公开了一种红外探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；台面(2)上部淀积有阳极(5)，n型InSb衬底(1)...
- 杨翠张延涛马京立陈园园陈晓冬孟超张小雷毛维吕衍秋司俊杰
- 文献传递
- 短波红外纳米PbSe薄膜制备及光电性能研究被引量：1
- 2011年
- 采用化学沉淀的方法在石英衬底上制备了短波红外纳米PbSe薄膜。XRD,SEM,TEM以及红外透射光谱测试分析结果表明,所制备的PbSe薄膜为纳米多晶薄膜,表面平整致密,薄膜的晶粒尺寸为10 nm左右,由于量子效应,薄膜吸收截止边相对PbSe体材料蓝移至1.6μm;经过敏化、光刻及金属化制备了PbSe单元光导探测器,在室温下进行光谱测试,其响应波段为0.6~1.5μm。
- 姚官生司俊杰陈凤金孟超
- 关键词：硒化铅光导探测器光谱响应
- 基于FPGA的步进电机控制柔版印刷调压系统设计与实现
- 制造业是我国国民经济的重要支柱产业之一，其发展水平对我国的经济发展有着重要影响。而印刷行业作为我国制造业的一个重要组成部分，伴随着我国经济快速稳定的发展和人民日益增长的生活需要，各种印刷品的需求在急速增长的同时，其地位也...
- 孟超
- 关键词：步进电机柔版印刷FPGA技术闭环控制
- 两种钝化结构InGaAs红外探测器低频噪声的研究
- 2009年
- 低频噪声的测量和分析已成为红外探测器性能和可靠性评估的一种重要手段。制备了聚酰亚胺单层钝化和硫化后ZnS/聚酰亚胺双层钝化两种结构InGaAs探测器,测试了不同偏压或不同温度下器件的低频噪声谱,讨论了偏压和温度对InGaAs探测器低频噪声的影响。随着偏压的增加,噪声增大,拐点向低频方向移动,并且低频噪声随温度降低而减小。认为硫化后ZnS/聚酰亚胺双层钝化器件相对聚酰亚胺单层钝化器件相同偏压或温度下噪声较小,拐点低。因为硫化处理和ZnS层增强了钝化效果,器件的表面漏电流明显减小,因而大大降低了器件的低频噪声。
- 吕衍秋孟庆端张向锋张亮孟超龚海梅孙维国
- 关键词：红外探测器INGAAS低频噪声钝化
- InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法
- 本发明公开了一种InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部淀积有阳极(5)，n型...
- 杨翠马京立张延涛毛维张小雷孟超刘鹏张建奇
- 文献传递
- 傅里叶光谱仪扫描速度对测试的影响被引量：4
- 2009年
- 扫描速度快是傅里叶光谱仪的突出优点之一,一般比棱镜式或光栅式光谱仪快上数百倍,但同时也对测试结果也带来了一定的不确定性。通过测试对比,研究了傅里叶光谱仪扫描速度对不同红外探测器的影响情况,最后对应于不同的测试样品及目的,给出了扫描速度的参考设定值。
- 彭晶孟超
- 关键词：傅里叶光谱仪红外探测器
- InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法
- 本发明公开了一种InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部淀积有阳极(5)，n型...
- 杨翠马京立张延涛毛维张小雷孟超刘鹏张建奇
- 文献传递
- ITO/HgInTe肖特基的光电特性被引量：4
- 2008年
- 碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层。运用直流平面磁控溅射技术和热电子蒸发技术分别在单晶HgInTe表面形成了ITO(SnO2+In2O3)/HgInTe和In/HgInTe接触,利用I-V测试仪对其I-V特性进行测量,运用能带结构和异质结理论对测量的I-V结果进行了描述,测量结果符合热电子发射理论。结果表明:ITO/HgInTe形成具有整流特性的肖特基接触,通过计算得到了ITO/HgInTe的肖特基势垒高度为0.506eV,理想因子n为3.2,串联电阻Rs为2600Ω;In/HgInTe形成欧姆接触。并且发现了在波长1.55μm处有很好的响应光谱,同时室温下峰值探测率D*λ达到了1011cm·Hz1/2·W-1。
- 张小雷孙维国鲁正雄张亮赵岚孟超丁嘉欣
- 关键词：ITO肖特基接触欧姆接触响应光谱
- 光伏型探测器阵列及其制作方法
- 本发明公开了一种光伏型探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部均淀积有阳极(5)，n型InSb衬...
- 杨翠马京立林宏杰张延涛马琳张小雷孟超陈晓冬吕衍秋司俊杰
- 文献传递
