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刘文

作品数：54 被引量：16H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市科技新星计划中国博士后科学基金更多>>
相关领域：环境科学与工程电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 8篇学位论文
  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 8篇环境科学与工...
  • 7篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇经济管理
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 24篇剂量辐照
  • 24篇辐照
  • 19篇总剂量
  • 18篇总剂量辐照
  • 16篇高能
  • 16篇高能物理
  • 14篇电路
  • 14篇集成电路
  • 10篇电荷
  • 9篇纳米
  • 9篇固定负电荷
  • 8篇SOI器件
  • 8篇MOS器件
  • 7篇氧化层
  • 7篇栅氧化
  • 7篇栅氧化层
  • 7篇钛酸
  • 7篇污染
  • 7篇抗辐照
  • 6篇抗N

机构

  • 54篇北京大学
  • 2篇太原理工大学
  • 2篇方正国际软件...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇中国气象局
  • 1篇北京建筑大学

作者

  • 54篇刘文
  • 25篇黄如
  • 10篇黄德涛
  • 7篇王思浩
  • 5篇王健
  • 5篇刘文
  • 5篇郝志华
  • 4篇孙卫玲
  • 4篇王婷
  • 3篇陈龙
  • 3篇倪晋仁
  • 3篇周恒辉
  • 3篇陈继涛
  • 2篇朱楠
  • 2篇赵华章
  • 2篇陈倩
  • 2篇刘一
  • 2篇张新祥
  • 2篇曹廷炳
  • 1篇邓积光

传媒

  • 3篇工业水处理
  • 1篇环境科学学报
  • 1篇环境科学研究
  • 1篇环境化学
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第七届全国环...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 3篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2017
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 7篇2011
  • 15篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2007
  • 1篇1994
共 54 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件及制备方法
本发明公开了一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述源区或者漏区与埋氧化层之间有一层与源区或者漏区掺杂类型相反...
黄如黄德涛刘文王健
抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路
本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，沟槽中填充有沟槽填充材料，其特征...
刘文黄如王思浩黄德涛王健
深亚微米NMOS器件总剂量辐照引起的寄生管泄漏电流模型
本文提出了一个深亚微米尺度下总剂量辐照引起的NMOS器件寄生管泄漏电流模型，该模型将辐照对MOS器件的影响直接体现为寄生管阈值漂移与辐照剂量之间的依赖关系，避免了对STI区大量固定正电荷的空间分布做复杂计算。我们还首次分...
刘文王思浩黄如
关键词：总剂量辐照
文献传递
抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路
本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述NMOS器件...
刘文黄如
文献传递
一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路
本发明公开了一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述NMOS器件...
刘文黄如
文献传递
一种新型的抗总剂量辐照的CMOS集成电路
本发明公开了一种新型的抗总剂量辐照的CMOS集成电路，属于电子技术领域。本发明CMOS集成电路包括NMOS器件和PMOS器件，器件之间通过沟槽隔离，PMOS和PMOS之间的沟槽用隔离材料一填充，所述隔离材料一在总剂量辐照...
刘文黄如
文献传递
Pb(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)、Cu(Ⅱ)、Cr(Ⅲ)在钛酸纳米管上的竞争吸附行为
重金属污染是一个全球普遍存在的环境问题,钛酸纳米管作为一种性能优异的吸附材料,在水体重金属污染控制领域有很大的应用前景.本研究通过水热法合成了钛酸纳米管,其具有较低的等电点(2.6)和较大的比表面积(262.05 m2/...
刘文王彦骐殷晓晨李学钊倪晋仁
关键词：河流污染重金属离子钛酸纳米管
中国水体颗粒物数据库的研制
刘文
一类用于协同去除水中重金属与新有机污染物的可再生吸附剂的制备与应用方法
本发明公开了一种用于协同去除水中新兴有机污染物与重金属的可再生吸附剂的制备方法与应用，属于水处理技术领域。本发明中的复合材料为一系列金属有机骨架材料衍生的多孔道碳材料和纳米钛酸盐材料的均相复合物，经水热法合成，并可在此基...
刘文李璠孙丰宾陈龙张惠璇李沛珅
一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法
本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层，所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材...
刘文郝志华黄如
文献传递
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