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郝志华

作品数:20 被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术经济管理更多>>

文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇晶体管
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇衬底
  • 5篇电荷
  • 5篇淀积
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇总剂量
  • 5篇总剂量辐照
  • 5篇纳米
  • 5篇剂量辐照
  • 5篇光刻
  • 5篇辐照
  • 5篇高能
  • 5篇高能物理
  • 5篇SOI器件
  • 4篇电路
  • 4篇掩膜
  • 4篇制备化学

机构

  • 20篇北京大学

作者

  • 20篇黄如
  • 20篇郝志华
  • 15篇艾玉杰
  • 15篇浦双双
  • 13篇王润声
  • 8篇范春晖
  • 7篇安霞
  • 6篇许晓燕
  • 5篇樊捷闻
  • 5篇刘文
  • 5篇孙帅
  • 4篇云全新
  • 2篇王阳元

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 7篇2011
  • 7篇2010
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法
本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法,属于电子技术领域。本发明的SOI器件包括衬底层,埋氧层和顶层,所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层,所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材...
刘文郝志华黄如
文献传递
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法,降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中,IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的,不存在对准偏差的影响,通过在后续工艺中选...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法
本发明公开了一种基于多晶硅的抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法,属于电子技术领域。本发明所述的SOI器件包括衬底层,埋氧层和顶层,所述埋氧层中包括一多晶硅牺牲层,所述埋氧层在所述多晶硅牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层...
刘文郝志华黄如
文献传递
一种细线条的制备方法
本发明提供一种细线条的制备方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺,有效地改善了线条形貌,大大减小了LER(线边缘粗糙度);同时与侧墙工艺相结合,成功制备出纳米级细线条并能够精确控...
浦双双黄如艾玉杰郝志华王润声
一种制备超窄槽的方法
本发明提供了一种制备超窄槽的方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括:首先在衬底上制备化学机械抛光停止层;然后淀积一氮化硅层,在氮化硅层上淀积一多晶硅层;随后将多晶硅加工成窄槽;再将多晶硅上定义出的窄槽转移...
黄如浦双双许晓燕安霞郝志华范春晖王润声艾玉杰
文献传递
一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法
本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法,属于电子技术领域。本发明的SOI器件包括衬底层,埋氧层和顶层,所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层,所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材...
刘文郝志华黄如
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法,降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中,IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的,不存在对准偏差的影响,通过在后续工艺中选...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
文献传递
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法,降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中,TFET的源漏区不是由光刻直接定义的,而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台;源端为多晶硅,位于圆环形Si台的上端;漏端位于圆环形Si台下端的外侧;栅位于圆环形Si台的外侧面;在圆环形Si台的内...
艾玉杰郝志华黄如浦双双樊捷闻孙帅王润声许晓燕
文献传递
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法,降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中,TFET的源漏区不是由光刻直接定义的,而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
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共2页<12>
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