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王润声
作品数:
177
被引量:13
H指数:1
供职机构:
北京大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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文化科学
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合作作者
黄如
北京大学微电子学研究院
黎明
北京大学
樊捷闻
北京大学
艾玉杰
北京大学
邹积彬
北京大学
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一种一维到三维边界热阻的测试结构和方法
本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法,该方法利用一种简单的测试结构,该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分,长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R<Su...
黄如
林增明
王润声
邹积彬
李佳
许晓燕
跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件
本申请提供一种跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件。方法包括:提供一半导体衬底;在半导体衬底上形成一个或多个互连单元;其中,每一个互连单元通过依次执行以下步骤进行制备:在半导体衬底上依次沉积形成浅沟槽隔离结构...
吴恒
郭睿
卢浩然
孙嘉诚
王润声
黎明
黄如
一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台;源端为多晶硅,位于圆环形Si台的上端;漏端位于圆环形Si台下端的外侧;栅位于圆环形Si台的外侧面;在圆环形Si台的内...
艾玉杰
郝志华
黄如
浦双双
樊捷闻
孙帅
王润声
许晓燕
垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备
本申请提供一种垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备。其中,制备方法包括:在衬底上层叠沉积第一材料层、第二材料层以及第三材料层,以形成第一半导体结构;刻蚀第一半导体结构的第一区域,以形成第二半导体结构,第二半导体结...
吴恒
王逸勐
黄如
王润声
黎明
无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法
本发明提供了无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法。所述器件的源漏左右对称,测试仪连接源漏的探针及电缆左右对称,首先控制栅、源、漏的偏压设置使器件处于不形成反型层且栅介质层陷阱不限制电荷的初始状态,然后通过改变...
邹积彬
黄如
王润声
艾玉杰
樊捷闻
一种半导体结构的制备方法及半导体结构
本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构,该方法包括:提供一衬底;在衬底上形成有源结构,有源结构包括第一有源结构和第二有源结构;对有源结构填充氧化物,以形成浅槽隔离;去除浅槽隔离的第一部分,以暴露第一有源结构;基于...
吴恒
王润声
黎明
黄如
一种多驱动能力的集成电路标准单元版图迁移的方法
本发明公布了一种多驱动能力的集成电路标准单元版图迁移的方法,将集成电路某个驱动能力的标准单元已完成的版图作为参考版图,其余的驱动能力下的标准单元待生成的版图作为目标版图;根据参考版图逐步得到所需驱动能力下的标准单元的目标...
林亦波
高笑涵
张昊懿
王润声
黄如
一种基于词元树动态生成的自回归模型并行解码方法
本发明提供一种基于词元树动态生成的自回归模型并行解码方法,属于深度学习领域。本发明首先进行并行解码头的训练,使用并行解码块对于后续位置进行预测,使用动态词元树生成算法生成具有最高估测性能的词元树,最终通过自回归解码头对词...
李萌
仲书璋
王润声
黄如
一种模数混合自刷新存内计算簇及模拟辅助数字存内计算电路
本发明公开一种模数混合自刷新存内计算簇及模拟辅助数字存内计算电路,属于集成电路设计(integrated circuit design)领域。本发明将数字计算与模拟计算与刷新功能嵌入到了同一存内计算簇中,通过低精度的模拟...
唐希源
宋嘉豪
王源
王润声
黄如
一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管
本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管,属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区,沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构,上面覆盖一层...
邹积彬
黄如
王润声
杨庚雨
艾玉洁
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