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邹积彬

作品数：31 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 16篇纳米
  • 16篇纳米线
  • 10篇晶体管
  • 8篇电路
  • 8篇热阻
  • 7篇半导体
  • 6篇栅结构
  • 6篇散热
  • 6篇散热结构
  • 6篇介质层
  • 6篇沟道
  • 6篇半导体器件
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 6篇衬底
  • 4篇电流
  • 4篇热效应
  • 4篇纳米线结构
  • 4篇接线板
  • 4篇硅纳米线

机构

  • 31篇北京大学

作者

  • 31篇邹积彬
  • 27篇黄如
  • 24篇王润声
  • 16篇樊捷闻
  • 9篇王阳元
  • 8篇林增明
  • 8篇孙帅
  • 7篇杨庚雨
  • 6篇艾玉杰
  • 6篇刘长泽
  • 4篇李佳
  • 4篇黄欣
  • 4篇许晓燕
  • 4篇艾玉洁
  • 3篇吴文刚
  • 3篇唐昱
  • 3篇郝一龙
  • 3篇王子千
  • 3篇陈庆华
  • 3篇闫桂珍

年份

  • 4篇2014
  • 4篇2013
  • 14篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2008
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种微型多功能光学器件及其制备方法
本发明涉及一种微型多功能光学器件及其制备方法，其特征在于：它包括固定电极、可动电极、支撑梁、锚点、玻璃衬底、光反射模块和光纤槽；所述光反射模块的头部呈三角形，正对所述反射模块的头部设置一输入光纤槽，与所述三角形光反射模块...
吴文刚陈庆华王子千邹积彬闫桂珍郝一龙王阳元
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一种基于多能级杂质改变半导体掺杂特性的半导体存储器
本发明涉及一种半导体存储器，属于半导体器件技术领域。该半导体存储器包括一个N-P-N型或P-N-P-型半导体，其中，在N-P-N型半导体中的一个N型掺杂区或者P型掺杂区中掺入多能级杂质，或在P-N-P-型半导体中的一个P...
杨庚雨黄如唐昱邹积彬
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一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法
本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感...
黄如杨庚雨张丽杰叶乐谭胜虎蔡一茂邹积彬唐昱秦石强
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一种一维到三维边界热阻的测试结构和方法
本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法，该方法利用一种简单的测试结构，该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分，长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R<Su...
黄如林增明王润声邹积彬李佳许晓燕
一种纳米尺度器件散热特性的测试结构和测试方法
本发明公布了一种纳米尺度器件散热特性的测试结构和测试方法。结构包括源(1)、漏(2)、栅(3)三部分，源(1)和漏(2)之间有一根悬空纳米线(5)；栅(3)和漏(2)之间有绝缘层(6)；该结构采用围栅结构，栅(3)的一端...
黄如林增明王润声邹积彬孙帅
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一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法
本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法，包括：定义有源区；淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜；并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；通过刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；抑制底管离子注入；通过湿法...
黄如樊捷闻艾玉杰孙帅王润声邹积彬黄欣
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硅纳米线晶体管器件可编程阵列的制备方法
本发明提供一种基于硅纳米线场效应晶体管的六边形可编程阵列及其制备方法，该阵列包括纳米线器件、纳米线器件连接区和栅连接区，所述纳米线器件呈圆柱形结构，包括硅纳米线沟道、栅介质层和栅区，栅介质层包裹硅纳米线沟道，栅区包裹栅介...
黄如邹积彬王润声樊捷闻刘长泽王阳元
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纳米尺度MOS器件高阶效应表征研究
半导体器件的特征尺寸不断缩小，使得集成电路向高性能、低功耗、高集成度、多功能的方向不断发展。在纳米尺度器件中，除短沟道效应以外，器件高阶效应如栅介质层陷阱、寄生电容，对器件和电路性能的影响越来越严重。栅介质层陷阱会导致器...
邹积彬
关键词：MOS器件
一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管
本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层...
邹积彬黄如王润声杨庚雨艾玉洁樊捷闻
一种垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种寄生电阻较小的垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。利用本发明制备出的垂直型硅纳米线场效应晶体管相比于传统的平面场效应晶体管，一方面由于其本身的一维几何结构导致的良好栅控能力...
黄如樊捷闻艾玉杰孙帅王润声邹积彬黄欣
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