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黄德涛

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 12篇辐照
  • 10篇剂量辐照
  • 9篇抗辐照
  • 7篇氧化层
  • 7篇栅氧化
  • 7篇栅氧化层
  • 7篇MOS器件
  • 6篇电路
  • 5篇集成电路
  • 4篇总剂量
  • 3篇总剂量辐照
  • 3篇芯片
  • 3篇高能
  • 3篇高能物理
  • 3篇SOI器件
  • 2篇电路芯片
  • 2篇电阻
  • 2篇外轮廓
  • 2篇轮廓线
  • 2篇抗N

机构

  • 13篇北京大学

作者

  • 13篇黄德涛
  • 12篇黄如
  • 10篇刘文
  • 6篇王思浩
  • 5篇王健
  • 2篇薛守斌
  • 2篇王文华
  • 2篇王阳元

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种抗辐照的多叉指CMOS器件
本发明公开了一种抗辐照的多叉指CMOS器件，属于电子技术领域。本发明多叉指CMOS器件包括有源区、STI区、和连接所述有源区和所述STI区的栅极，所述栅极呈多叉指状，其特征在于，所述有源区沿着有源区横向的宽度大于所述栅极...
王文华黄德涛黄如王阳元薛守斌
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一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件及制备方法
本发明公开了一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述源区或者漏区与埋氧化层之间有一层与源区或者漏区掺杂类型相反...
黄如黄德涛刘文王健
一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件
本发明公开了一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件，包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，在源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，沟道区和浅掺杂注入区的下方为重掺杂区，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂浓度为3×1...
黄德涛刘文王思浩黄如
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一种抗辐照的多叉指CMOS器件
本发明公开了一种抗辐照的多叉指CMOS器件，属于电子技术领域。本发明多叉指CMOS器件包括有源区、STI区、和连接所述有源区和所述STI区的栅极，所述栅极呈多叉指状，其特征在于，所述有源区沿着有源区横向的宽度大于所述栅极...
王文华黄德涛黄如王阳元薛守斌
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一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件及制备方法
本发明公开了一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述源区或者漏区与埋氧化层之间有一层与源区或者漏区掺杂类型相反...
黄如黄德涛刘文王健
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一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件
本发明公开了一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件，包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，在源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，沟道区和浅掺杂注入区的下方为重掺杂区，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂浓度为3×1...
黄德涛刘文王思浩黄如
抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路
本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，沟槽中填充有沟槽填充材料，其特征...
刘文黄如王思浩黄德涛王健
一种抗辐照的Halo结构MOS器件
本发明公开了一种抗辐照的Halo结构MOS器件及其制备方法，所述Halo结构MOS器件包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，在浅掺杂注入区的近沟道端包围有重掺杂的Halo区，...
黄德涛刘文王思浩黄如
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一种新型的抗总剂量辐照的集成电路
本发明公开了一种新型的抗总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明旨在提供一种可以减少NMOS器件总剂量辐照后关态泄漏电流的新型抗总剂量辐照的集成电路。所述集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间...
刘文黄如黄德涛
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抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路
本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，沟槽中填充有沟槽填充材料，其特征在于...
刘文黄如王思浩黄德涛王健
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