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李静

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中华人民共和国工业和信息化部更多>>
相关领域：语言文字电子电信环境科学与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 3篇标准

领域

  • 3篇语言文字
  • 2篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇晶体
  • 3篇硅
  • 2篇半导体材料
  • 1篇单晶
  • 1篇电子信息
  • 1篇电子信息产品
  • 1篇电阻率
  • 1篇信息产品
  • 1篇有毒有害物质
  • 1篇有害物
  • 1篇有害物质
  • 1篇砷化镓
  • 1篇均匀性
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇硅单晶
  • 1篇红外
  • 1篇红外吸收

机构

  • 6篇中华人民共和...
  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇峨嵋半导体材...

作者

  • 6篇李静
  • 2篇汝琼娜
  • 2篇李光平
  • 2篇何秀坤
  • 2篇何秀坤
  • 1篇王奕
  • 1篇段曙光
  • 1篇何秀坤

传媒

  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 3篇2009
  • 1篇2004
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
SI-GaAs材料微区均匀性对门电路器件性能影响
随着大规摸集成电路集成度的迅速提高,器件工艺对材料的性能提出了更高的要求,过去的常规参数测量不足以表征GaAs材料质量,材料的微区均匀性已成为限制集成电路发展的重要因素。本文采用了不同的测量手段结合门电路器件工艺,研究了...
汝琼娜李光平李静何秀坤
文献传递
化合物半导体材料性能表征技术
国外在砷化镓材料、器件及材料与器件之间关系的研究方面进展很快.国内有关研究单位在这方面做了一些工作,试图找出材料参数与电路参数之间的对应关系.
何秀坤李光平汝琼娜李静
关键词：砷化镓半导体材料化合物半导体
文献传递
硅单晶电阻率测定方法
本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶电阻率有及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距的4倍的单晶圆片的电阻...
李静何秀坤张继荣段曙光
关键词：电阻率晶体硅半导体材料半导体
文献传递
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。本标准用于检测单晶硅中含量为1×LO<UP LL> AT?CM <UP -3>～5×10<UP 15> AT?...
李静何秀坤蔺娴
关键词：硅晶体半导体
文献传递
电子信息产品部件及材料中有毒有害物质的检测技术
王奕李静
硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法
本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω?CM的P型硅片及电阻率高于1Ω?CM的N型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率高于0.1Ω?CM的硅片中代位碳...
何秀坤李静段曙光梁洪
关键词：半导体晶体硅碳
文献传递
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