汝琼娜
- 作品数：25 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- SI-GaAs材料微区均匀性对门电路器件性能影响
- 随着大规摸集成电路集成度的迅速提高,器件工艺对材料的性能提出了更高的要求,过去的常规参数测量不足以表征GaAs材料质量,材料的微区均匀性已成为限制集成电路发展的重要因素。本文采用了不同的测量手段结合门电路器件工艺,研究了...
- 汝琼娜李光平李静何秀坤
- 文献传递
- 半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量技术
- 本文介绍了使用通用计算机外部控制PE Lambda—9分光光度计,形成了数据处理工作站,利用此工作站与样品架微动装置组成了一套自动测量半绝缘砷化镓中EL浓度微区分布的测试系统。
- 李光平李静汝琼娜
- 关键词：半绝缘砷化镓自动测量系统
- 文献传递
- Ｓｉ－ＧａＡｓ中ＥＬ２浓度微区分布自动测量系统研究
- 李光平汝琼娜
- 关键词：砷化镓半导体材料半绝缘体微区分析
- 高微区均匀性砷化镓材料研制
- 李光平苑进良孙毅之齐德格汝琼娜赖占平施亚申杜庚娜刘杏昌郭小兵刘晏凤赵权等
- 该成果在单晶制备工艺方面，采用了两步充气、二次拉晶工艺，确立了整锭二步高砷气氛下热处理技术，使材料的均匀性、热稳定性有明显提高，保证提供高质量的Si-GaAs材料。此外该成果利用研制的优质材料，进行了超高速模拟开关和高速...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓材料
- 砷化镓材料的质量优化和相关参数的直接测量
- 何秀坤汝琼娜李光平李静苑进良
- 砷化镓单晶是高速集成电路微波器件和光电器件的重要衬底材料。其中绝缘特性主要取决于C和EL2的补偿特性。该成果从改进材料的C和EL2含量及其分布的红外吸收光谱入手，结合热处理工艺和轻掺CR两项工艺措施，达到质量优化的目的；...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓
- GaN薄膜发光特性的研究被引量：1
- 2005年
- 通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响。实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌。n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高,黄带峰的发光强度反而下降。
- 李静冯倩何秀坤汝琼娜周智慧
- 关键词：扫描电子显微镜缓冲层掺杂
- 半导体材料测量技术的新进展
- 半导体材料科学的发展对于半导体物理学和信息科学起着积极的推动作用,它是微电子技术、光电子技术、超导电子技术及真空电子技术的基础,只有在完美和新颖的材料基础上才会产生新的器件。半导体材料的生长正向着膜层的超薄化;结构区域选...
- 华庆恒汝琼娜
- 关键词：半导体材料
- 红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究
- 1992年
- 本文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10^(21)λ_c^(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10^(20)λ_c^(-2.6689).本方法载流子浓度测量范围为 1.0×10^(17)≤N≤2.0 ×10^(19)cm^(-3),测量误差 ±10～15％.文中对测量条件进行了讨论,并给出了GaAs:Si样品载流子浓度径向分布的测量结果.
- 何秀坤王琴李光平阎萍汝琼娜李晓波
- 关键词：半导体载流子光谱
- 非ODS清洗剂中受控物质的测试方法
- 气相色谱/质谱法是较低沸点有机物定性和定量测量的常用方法之一，本文详细介绍了该方法在非ODS清洗剂中三氟三氯乙烷(CFC-113)、1，1，1-三氯乙烷和四氯化碳等受控物质检测中的应用。
- 张建辉何秀坤汝琼娜
- 关键词：清洗剂三氟三氯乙烷四氯化碳
- 文献传递
- 付里叶变换红外光谱技术在电子元器件失效分析中的应用
- 付里叶变换红外光谱在有机材料中已广泛应用,但在电子元器件失效分析中使用不多。本文将介绍作者在这方面开展的工作。1.线圈漆包线绝缘漆的质量鉴定该样品为—在生产过程中出现质量问题的线圈,线圈绕成以后部分产品出现绝缘漆脱落,从...
- 何秀坤汝琼娜张建辉
- 关键词：电子元器件
