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李文东

作品数:2 被引量:14H指数:1
供职机构:安徽大学物理与材料科学学院更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇原子层沉积
  • 1篇栅介质
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇光学
  • 1篇光学薄膜
  • 1篇高K材料
  • 1篇SI
  • 1篇催化
  • 1篇催化剂

机构

  • 2篇安徽大学

作者

  • 2篇何刚
  • 2篇邓彬
  • 2篇李文东
  • 1篇孙兆奇
  • 1篇宋学萍

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
生长模式依赖的AlOxNy/Si叠层栅界面控制及电学特性研究
栅介质材料的筛选和叠层栅的界面控制是当前微电子界面临的主要棘手问题,同时器件的微型化也加速了新型栅介质材料的发展和新型超薄膜制备技术的革新。作为传统制备超薄栅材料的核心技术,物理气相沉积由于自身的缺陷和不足,已经不能满足...
何刚邓彬李太申李文东魏呵呵宋学萍孙兆奇
关键词:栅介质金属有机物化学气相沉积光电子能谱电学特性
文献传递
原子层沉积技术的发展现状及应用前景被引量:14
2014年
随着微电子行业的发展,集成度不断提高、器件尺寸持续减小,使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战,然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术,因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好,还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分,仍然备受关注并被广泛应用于半导体、光学、光电子、太阳能等诸多领域。本文简要介绍了ALD技术的原理、沉积周期、特征、优势、化学吸附自限制ALD技术和顺次反应自限制ALD技术及ALD本身作为一种技术的发展状况(T-ALD,PEALD和EC-ALD等);重点叙述了ALD技术在半导体领域(高k材料、IC互连技术等)、光学薄膜方面、纳米材料方面、催化剂的应用和新成果。最后,对ALD未来的发展应用前景进行了展望。
魏呵呵何刚邓彬李文东李太申
关键词:高K材料光学薄膜催化剂
共1页<1>
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