何刚
- 作品数：5 被引量：14H指数：1
- 供职机构：安徽大学物理与材料科学学院更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- Cu2O颗粒修饰ZnO薄膜的电沉积制备及性能表征
- 利用两步电沉积技术在ITO基底上制备Cu2O颗粒修饰ZnO纳米棒薄膜,沉积时间分别为0,1,5和10 min.SEM和XRD测试表明样品中由ZnO纳米棒和Cu2O组成.立方结构的Cu2O颗粒镶嵌在ZnO纳米棒空隙中,Cu...
- 江锡顺张苗杨蕾姚广程云朗陶佳佳龚泽洲何刚孙兆奇
- 关键词：氧化锌纳米棒两步法电沉积技术性能表征
- 文献传递
- 生长模式依赖的AlOxNy/Si叠层栅界面控制及电学特性研究
- 栅介质材料的筛选和叠层栅的界面控制是当前微电子界面临的主要棘手问题,同时器件的微型化也加速了新型栅介质材料的发展和新型超薄膜制备技术的革新。作为传统制备超薄栅材料的核心技术,物理气相沉积由于自身的缺陷和不足,已经不能满足...
- 何刚邓彬李太申李文东魏呵呵宋学萍孙兆奇
- 关键词：栅介质金属有机物化学气相沉积光电子能谱电学特性
- 文献传递
- High-k/Ⅲ-Ⅴ的界面、能带调控及电学性能优化
- In this report,the reduction and removal of surface native oxides(GaOx,AsOx)from the as-received InGaAs surfac...
- 何刚高娟刘毛孙兆奇
- 原子层沉积技术的发展现状及应用前景被引量：14
- 2014年
- 随着微电子行业的发展,集成度不断提高、器件尺寸持续减小,使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战,然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术,因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好,还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分,仍然备受关注并被广泛应用于半导体、光学、光电子、太阳能等诸多领域。本文简要介绍了ALD技术的原理、沉积周期、特征、优势、化学吸附自限制ALD技术和顺次反应自限制ALD技术及ALD本身作为一种技术的发展状况(T-ALD,PEALD和EC-ALD等);重点叙述了ALD技术在半导体领域(高k材料、IC互连技术等)、光学薄膜方面、纳米材料方面、催化剂的应用和新成果。最后,对ALD未来的发展应用前景进行了展望。
- 魏呵呵何刚邓彬李文东李太申
- 关键词：高K材料光学薄膜催化剂
- High-k/Ⅲ-Ⅴ的界面、能带调控及电学性能优化
- In this report,the reduction and removal of surface native oxides(GaOx,AsOx)from the as-received InGaAs surfac...
- 何刚高娟孙兆奇
