李强
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 介孔硅酸锌/氧化硅复合材料的制备与结构表征
- 2015年
- 以介孔氧化硅SBA-15作为硅源和辅助模板,将SBA-15与硝酸锌研磨混合,采用高温固相法制备出介孔硅酸锌/氧化硅复合材料。采用X射线衍射,透射电子显微镜,氮气吸、脱附技术对样品的结构进行表征。研究结果表明:SBA-15与引入到孔道中的硝酸锌发生固相反应生成硅酸锌,800℃的煅烧温度较传统固相反应温度有显著下降。硅酸锌镶嵌在孔壁上剩余的氧化硅中,不仅能够提高介观结构的稳定性,而且能够抑制硅酸锌发生相转变。硅酸锌/氧化硅复合材料具有二维六方有序介孔结构;含不同质量分数硅酸锌的硅酸锌/氧化硅复合材料的孔径为3.7~6.1nm,比表面积为360~640m^2/g。
- 陆青山朱青梅李强李景峰卢锦华
- 关键词：硅酸锌介孔结构复合材料固相反应研磨
- YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性
- 2015年
- 采用脉冲激光沉积法，在单侧抛光的STO基底上制备YSZ／STO／YSZ超品格薄膜。利用x射线衍射、扫描电镜和射频阻抗／材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现，YSZ／STD／YSZ超晶格薄膜在300～500％之间，其电导活化能最小值为0．76eV，在300℃ 时测得的电导率比体材料的电导率提高了三个数量级。
- 康振锋刘文德李强郑平平范悦薄青瑞肖玲玲丁铁柱
- 关键词：脉冲激光沉积
- CuGaSe_2∶Ge中间带半导体材料的制备被引量：1
- 2014年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法在钠钙玻璃衬底上制备了CuGaSe2∶Ge薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对CuGaSe2∶Ge薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,采用紫外-可见分光光度计分析了CuGaSe2∶Ge薄膜的光吸收、反射和透射特性。结果表明,在CuGaSe2中掺IV族元素Ge,价带到中间带和中间带到导带的光子吸收能量分别为0.89 eV和0.71 eV,禁带宽度为1.60 eV,能够形成中间带。
- 郑平平丁铁柱康振锋刘文德李强肖玲玲
- 关键词：脉冲激光沉积禁带宽度
- 低温超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜的制备及表征
- 2014年
- 采用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(ALO)衬底上,将Y2O3∶ZrO2(YSZ)和SrTiO3(STO)按照YSZ/STO/YSZ的顺序依次沉积,形成超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜,利用SEM、XRD和交流阻抗对其形貌、相结构和电学性能进行了表征。结果表明,衬底温度为700℃形成的超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜颗粒大且均匀,排列紧密且呈规律圆柱状;YSZ、STO均沿(111)方向择优生长;低温时电导率比单层YSZ电解质薄膜高出4个数量级,是较为理想的低温固体燃料电池电解质。
- 刘华艳李强康振锋刘文德范悦丁铁柱
- 关键词：脉冲激光沉积超晶格电解质薄膜电导率
- CuGaSe2∶Ge中间带半导体材料的制备
- 中间带太阳电池是充分利用太阳光谱中的红外光子能量的一种高效率新概念太阳电池,其理论极限效率可达63.2％.由于铜基(CuGaSe2)化合物带隙为2.4～2.5eV,且吸收系数大、缺陷容限高,成为了最理想的中间带基质材料....
- 郑平平肖玲玲康振锋刘文德李强丁铁柱
- 关键词：光学带隙
- 文献传递
- CIGS双梯度带隙吸收层的制备及特性
- 2014年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在钠钙玻璃上沉积不同Ga含量的CuIn(1-x)Gax Se2薄膜,研究不同Ga含量对CIGS薄膜结构及光学特性的影响。研究表明:随着Ga含量增加,CIGS薄膜的光学带隙增大。优选特性较好的CIGS沉积在同一个钠钙玻璃衬底上,使Ga/(In+Ga)比在薄膜内纵深方向呈先减小后增加的变化。采用XPS逐层刻蚀分析薄膜的元素组成,利用带隙近似公式得到能带随深度变化情况,最终得到结构、光学特性和电学特性较好的双梯度带隙结构薄膜。
- 李强康振锋刘文德郑平平肖玲玲范悦薄青瑞齐彬彬丁铁柱
- 关键词：脉冲激光沉积
