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范悦

作品数：8 被引量：2H指数：1
供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇理学
  • 3篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 6篇脉冲激光
  • 6篇脉冲激光沉积
  • 5篇电解质
  • 5篇晶格
  • 5篇超晶格
  • 4篇YSZ
  • 3篇电解质薄膜
  • 2篇电池
  • 2篇电导
  • 2篇电导率
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物燃料电...
  • 2篇燃料电池
  • 2篇脉冲激光沉积...
  • 2篇固体氧化物
  • 2篇固体氧化物燃...
  • 2篇SDC
  • 2篇STO
  • 1篇带隙
  • 1篇低温度

机构

  • 8篇内蒙古大学

作者

  • 8篇范悦
  • 7篇丁铁柱
  • 4篇刘华艳
  • 3篇郑平平
  • 3篇肖玲玲
  • 3篇刘文德
  • 3篇李强
  • 3篇许彦彬
  • 1篇齐彬彬
  • 1篇苏海莹
  • 1篇贾晓静

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇真空

年份

  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
(SDC/YSZ)N超晶格电解质的制备及性能
本文用MgO单晶片作为基底采用脉冲激光法(PLD)制备SDC/YSZ（Ce0.8Sm0.2O2-δ/ZrO2∶8 mol％ Y2O3）双层电解质薄膜。并通过X射线衍射谱(XRD)、扫描电镜微观形貌(SEM)、电化学性能测...
范悦
关键词：脉冲激光沉积
文献传递
一种超晶格电解质的制备工艺
本发明公开了一种超晶格电解质的制备工艺，采用脉冲激光沉积法，这种方法易制多层膜，只需通过简单的换靶就可以，反应迅速，生长快。而且靶材容易制备，不需加热，易于在较低温度下原位生长取向一致的结构和外延单晶膜。本制备工艺可有效...
丁铁柱范悦许彦彬刘华艳
文献传递
YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性
2015年
采用脉冲激光沉积法，在单侧抛光的STO基底上制备YSZ／STO／YSZ超品格薄膜。利用x射线衍射、扫描电镜和射频阻抗／材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现，YSZ／STD／YSZ超晶格薄膜在300～500％之间，其电导活化能最小值为0．76eV，在300℃ 时测得的电导率比体材料的电导率提高了三个数量级。
康振锋刘文德李强郑平平范悦薄青瑞肖玲玲丁铁柱
关键词：脉冲激光沉积
低温超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜的制备及表征
2014年
采用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(ALO)衬底上,将Y2O3∶ZrO2(YSZ)和SrTiO3(STO)按照YSZ/STO/YSZ的顺序依次沉积,形成超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜,利用SEM、XRD和交流阻抗对其形貌、相结构和电学性能进行了表征。结果表明,衬底温度为700℃形成的超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜颗粒大且均匀,排列紧密且呈规律圆柱状;YSZ、STO均沿(111)方向择优生长;低温时电导率比单层YSZ电解质薄膜高出4个数量级,是较为理想的低温固体燃料电池电解质。
刘华艳李强康振锋刘文德范悦丁铁柱
关键词：脉冲激光沉积超晶格电解质薄膜电导率
退火温度对CuGa_(0.8)Ge_(0.2)Se_2薄膜结构及光学特性的影响被引量：1
2015年
采用脉冲激光沉积法在SiO2衬底上制备了CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜。采用X射线衍射和X射线能谱仪研究了退火温度对薄膜晶体结构和成分的影响,利用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌,采用紫外—可见分光光度计分析了薄膜的光学特性。结果表明,在CuGaSe2中掺杂Ⅳ族元素Ge,光子吸收能量分别为0.65和0.92 e V,禁带宽度为1.57 e V,能够形成中间带。并随着退火温度的升高,CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜的光学带隙逐渐减小。
肖玲玲丁铁柱郑平平范悦薄青瑞
关键词：退火温度脉冲激光沉积法
(Ce_(0.8)Sm_(0.2)O_(2-δ)/Y_2O_3:ZrO_2)_N超晶格电解质薄膜的制备及表征
2015年
采用脉冲激光沉积技术(PLD),在MgO单晶基底上,依次沉积氧化钐掺杂的氧化铈(Ce_(0.8)Sm_(0.2)O_(2-δ),SDC)和钇稳定氧化锆(8 mol%Y_2O_3:ZrO_2,YSZ)制备了五种(SDC/YSZ)_N(N=3,5,10,20,30)超晶格电解质薄膜.利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)和交流阻抗对其形貌、相结构和电学性能进行了表征.结果显示,(SDC/YSZ)_N超晶格电解质薄膜之间形成了明显的界面和较好的超晶格结构;薄膜表面颗粒生长均匀、致密、平滑,在薄膜的界面处没有元素相互扩散也未出现裂纹,外延生长良好;电导率随着(SDC/YSZ)_N超晶格电解质界面数的增加而增加,而活化能则随之减少,是较为理想的低温固体氧化物燃料电池电解质.
刘华艳范悦康振锋许彦彬薄青瑞丁铁柱
关键词：固体氧化物燃料电池
SDC/YSZ双层电解质薄膜的制备与特性被引量：1
2016年
利用脉冲激光沉积技术(PLD)在MgO单晶片基底上制备Ce_(0.8)Sm_(0.2)O_(2-δ)/ZrO_2∶Y_2O_3(SDC/YSZ)双层电解质薄膜。X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)的结果显示SDC/YSZ双层电解质薄膜沿(111)方向择优生长,随着退火温度的升高,薄膜变得均匀致密,结晶度得到改善,(111)衍射峰强度变大,择优生长取向明显;电化学测量表明,SDC/YSZ双层电解质薄膜的离子电导率比单层YSZ薄膜的离子电导率高。
苏海莹贾晓静许彦彬刘华艳范悦丁铁柱
关键词：离子电导率
CIGS双梯度带隙吸收层的制备及特性
2014年
采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在钠钙玻璃上沉积不同Ga含量的CuIn(1-x)Gax Se2薄膜,研究不同Ga含量对CIGS薄膜结构及光学特性的影响。研究表明:随着Ga含量增加,CIGS薄膜的光学带隙增大。优选特性较好的CIGS沉积在同一个钠钙玻璃衬底上,使Ga/(In+Ga)比在薄膜内纵深方向呈先减小后增加的变化。采用XPS逐层刻蚀分析薄膜的元素组成,利用带隙近似公式得到能带随深度变化情况,最终得到结构、光学特性和电学特性较好的双梯度带隙结构薄膜。
李强康振锋刘文德郑平平肖玲玲范悦薄青瑞齐彬彬丁铁柱
关键词：脉冲激光沉积
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