您的位置： 专家智库 > >

肖玲玲

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：内蒙古大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学

主题

  • 4篇脉冲激光
  • 4篇脉冲激光沉积
  • 3篇电池
  • 3篇半导体
  • 2篇带隙
  • 2篇太阳电池
  • 2篇光学
  • 1篇导电
  • 1篇导体
  • 1篇电解质
  • 1篇电解质薄膜
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻材料
  • 1篇旋涂
  • 1篇旋涂法
  • 1篇氧化铟
  • 1篇制备及特性
  • 1篇柔性衬底

机构

  • 8篇内蒙古大学

作者

  • 8篇肖玲玲
  • 5篇丁铁柱
  • 5篇郑平平
  • 4篇刘文德
  • 4篇李强
  • 3篇范悦
  • 2篇徐湘田
  • 2篇朱俊
  • 1篇王延来
  • 1篇齐彬彬

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇真空
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第十四届中国...

年份

  • 5篇2015
  • 3篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
CuGaSe_2∶Ge中间带半导体材料的制备被引量：1
2014年
采用脉冲激光沉积(PLD)法在钠钙玻璃衬底上制备了CuGaSe2∶Ge薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对CuGaSe2∶Ge薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,采用紫外-可见分光光度计分析了CuGaSe2∶Ge薄膜的光吸收、反射和透射特性。结果表明,在CuGaSe2中掺IV族元素Ge,价带到中间带和中间带到导带的光子吸收能量分别为0.89 eV和0.71 eV,禁带宽度为1.60 eV,能够形成中间带。
郑平平丁铁柱康振锋刘文德李强肖玲玲
关键词：脉冲激光沉积禁带宽度
CuGaSe2∶Ge中间带半导体材料的制备
中间带太阳电池是充分利用太阳光谱中的红外光子能量的一种高效率新概念太阳电池,其理论极限效率可达63.2％.由于铜基(CuGaSe2)化合物带隙为2.4～2.5eV,且吸收系数大、缺陷容限高,成为了最理想的中间带基质材料....
郑平平肖玲玲康振锋刘文德李强丁铁柱
关键词：光学带隙
文献传递
CIGS双梯度带隙吸收层的制备及特性
2014年
采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在钠钙玻璃上沉积不同Ga含量的CuIn(1-x)Gax Se2薄膜,研究不同Ga含量对CIGS薄膜结构及光学特性的影响。研究表明:随着Ga含量增加,CIGS薄膜的光学带隙增大。优选特性较好的CIGS沉积在同一个钠钙玻璃衬底上,使Ga/(In+Ga)比在薄膜内纵深方向呈先减小后增加的变化。采用XPS逐层刻蚀分析薄膜的元素组成,利用带隙近似公式得到能带随深度变化情况,最终得到结构、光学特性和电学特性较好的双梯度带隙结构薄膜。
李强康振锋刘文德郑平平肖玲玲范悦薄青瑞齐彬彬丁铁柱
关键词：脉冲激光沉积
退火温度对CuGa_(0.8)Ge_(0.2)Se_2薄膜结构及光学特性的影响被引量：1
2015年
采用脉冲激光沉积法在SiO2衬底上制备了CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜。采用X射线衍射和X射线能谱仪研究了退火温度对薄膜晶体结构和成分的影响,利用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌,采用紫外—可见分光光度计分析了薄膜的光学特性。结果表明,在CuGaSe2中掺杂Ⅳ族元素Ge,光子吸收能量分别为0.65和0.92 e V,禁带宽度为1.57 e V,能够形成中间带。并随着退火温度的升高,CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜的光学带隙逐渐减小。
肖玲玲丁铁柱郑平平范悦薄青瑞
关键词：退火温度脉冲激光沉积法
YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性
2015年
采用脉冲激光沉积法，在单侧抛光的STO基底上制备YSZ／STO／YSZ超品格薄膜。利用x射线衍射、扫描电镜和射频阻抗／材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现，YSZ／STD／YSZ超晶格薄膜在300～500％之间，其电导活化能最小值为0．76eV，在300℃ 时测得的电导率比体材料的电导率提高了三个数量级。
康振锋刘文德李强郑平平范悦薄青瑞肖玲玲丁铁柱
关键词：脉冲激光沉积
旋涂法制备CICS薄膜太阳能电池光吸收层
基于中间带太阳能电池的理论转换效率高、结构简单、制备成本低等诸多优点，吸引了大量的科学工作者对其进行深入的研究。而直接带隙半导体材料CuInS2，具有合适的禁带宽度(1.5eV)、较大的吸收系数、稳定性高、低毒等优势，成...
肖玲玲
关键词：半导体薄膜
文献传递
一种以NiFe合金为磁性层的各向异性磁电阻材料及其制备方法
本发明涉及一种各向异性磁电阻材料，具体涉及以NiFe合金为磁性层的各向异性磁电阻材料，属于磁电阻材料技术领域。本发明所设计的材料在常规的Ta/NiFe/Ta结构基础上，在Ta和NiFe之间添加一定厚度的NiO作为钉扎稳定...
朱俊刘弈帆王延来徐湘田肖玲玲
文献传递
一种在柔性衬底上制备硅纳米线阵列的方法
本发明涉及新能源中薄膜太阳电池的技术领域，尤其涉及一种在不锈钢柔性衬底上制备硅纳米线阵列的方法。1)在不锈钢柔性衬底上采用磁控溅射方法沉积一层掺锡氧化铟(ITO)薄膜；2)将步骤1)得到的不锈钢柔性衬底转移至反应腔室，利...
朱俊刘弈帆徐湘田肖玲玲
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0