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安霞

作品数：5 被引量：26H指数：4
供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇碳化硅
  • 3篇碳化硅薄膜
  • 3篇退火
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇溅射法
  • 2篇SIC
  • 1篇淀积
  • 1篇退火效应
  • 1篇气相淀积
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇分子束

机构

  • 5篇山东师范大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇山东商业职业...

作者

  • 5篇安霞
  • 4篇薛成山
  • 3篇庄惠照
  • 2篇李怀祥
  • 2篇杨利
  • 1篇李亚平
  • 1篇杨莺歌
  • 1篇修显武

传媒

  • 2篇山东师范大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2004
  • 3篇2002
  • 1篇2001
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
在(111)Si衬底上磁控溅射法制备纳米SiC薄膜被引量：7
2001年
用射频磁控溅射法在硅衬底上生长出纳米颗粒结构的碳化硅薄膜 .在N2 气氛下经 3h 110 0℃退火 ,用X射线衍射 (XRD)、付里叶红外吸收谱 (FTIR)、X光电子能谱 (XPS)、原子力显微镜 (AFM )对薄膜样品进行结构、颗粒大小、组分和形貌分析 。
安霞庄惠照李怀祥杨利修显武薛成山
关键词：磁控溅射光致发光SIC
碳化硅薄膜生长技术的研究进展被引量：5
2004年
介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况 ,碳化硅外延生长大多采用溅射法 (sputting)、化学气相淀积 (CVD)和分子束外延 (MBE) .对生长工艺对碳化硅薄膜特性的影响进行了对比研究 .
李亚平安霞薛成山
关键词：碳化硅薄膜薄膜生长化学气相淀积分子束外延溅射半导体材料
在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H_2退火效应被引量：10
2002年
用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响 .用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射 (XRD)、X光电子能谱 (XPS)、扫描电镜 (SEM)及原子力显微镜 (AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析 .结果表明 :高温退火后 Si C膜的晶化程度明显提高 。
安霞庄惠照杨莺歌李怀祥薛成山
关键词：磁控溅射碳化硅
磁控溅射法制备碳化硅薄膜的特性研究
该文详细介绍了碳化硅薄膜的制备方法、实验设计和实验测量结果.该文首先概括介绍了碳化硅薄膜的研究现状.介绍了制备碳化硅薄膜所采用的溅射系统、样品的制备过程及特性测量.采用配有SY型500W射频电源的JCK-500A型磁控溅...
安霞
关键词：碳化硅薄膜磁控溅射纳米线
文献传递
石英衬底上磁控溅射SiC膜退火形成SiC纳米线被引量：2
2002年
用射频磁控溅射法在石英片上溅射SiC膜,然后在氮气气氛下1150℃退火3h后,在石英衬底上生长出SiC纳米线。用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和x光电子能谱(XPS)对样品进行了结构、形貌及组分分析。SEM结果表明,SiC纳米线的直径为20～80纳米,其长度可达7～8微米,甚至于长达十几个微米。
安霞庄惠照薛成山杨利
关键词：磁控溅射纳米线
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