薛成山
- 作品数：179 被引量：273H指数：7
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 硅单晶中的氢催化氧沉淀
- 1998年
- 红外光谱法研究了硅单晶中的氢催化氧沉淀．氧含量为６×１０１７ａｔｏｍｓ·ｃｍ－３的直拉硅（ＣＺ—Ｓｉ）经氢气氛下区熔再成晶后，间隙氧浓度下降约２０倍．红外光谱测量１２３０ｃｍ－１吸收带结果表明，６５０～８５０℃热处理同样的时间，区熔后样品比原直拉硅样品含有更多的氧沉淀，这是氢催化的结果．
- 李怀祥薛成山周武陈鲁生周武陈燕生
- 关键词：氧沉淀硅单晶
- 磁控溅射碳化硅膜的制备及其光致发光特性被引量：6
- 2004年
- 采用磁控溅射方法制备了SiC薄膜,然后采用电化学方法将其腐蚀后获得具有纳米结构的多孔碳化硅。样品的PL谱表明,未经电化学腐蚀的薄膜能发出弱的紫光,峰值在392nm;当样品用电化学的方法腐蚀后,获得位于376nm的紫外光发射,且发光强度得到极大提高。
- 李玉国王强石礼伟孙海波薛成山庄惠照
- 关键词：SIC磁控溅射电化学腐蚀
- 氨化Si基Ga_2O_3/In制备GaN薄膜被引量：2
- 2007年
- 研究了Ga2O3/In膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好。
- 王福学薛成山庄惠照张晓凯艾玉杰孙丽丽杨兆柱李红
- 关键词：GAN氨化磁控溅射
- 氨化Ga_2O_3/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线
- 2010年
- 利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线。X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构。通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米。室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移。最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制。
- 薛成山郭永福石锋庄惠照刘文军曹玉萍孙海波
- 关键词：纳米线GAN钯催化
- 离子注入在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的应用被引量：3
- 1999年
- 介绍了离子注入ⅢⅤ族化合物半导体的特点，论述了离子注入ⅢⅤ族化合物半导体获得ｎ 、ｐ 型及深补偿能级的研究现状，讨论了离子注入ⅢⅤ族化合物后的退火及其保护问题。
- 李玉国薛成山刘秀喜
- 关键词：化合物半导体离子注入退火掺杂
- 氮化镓薄膜的研究进展被引量：12
- 2003年
- 主要讨论了III V族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题,并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景。
- 李忠魏芹芹杨利薛成山
- 关键词：氮化镓薄膜掺杂衬底缓冲层
- 钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线(英文)被引量：4
- 2009年
- 利用磁控溅射技术通过氨化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明:制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60nm,其最大长度可达10μm左右。室温下光致发光谱测试发现363nm处的较强紫外发光峰。另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制。
- 薛成山李红庄惠照陈金华杨兆柱秦丽霞王英王邹平
- 关键词：氮化物溅射
- 氨化磁控溅射Ga_2O_3／BN薄膜制备GaN纳米棒
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3／BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析。结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰。
- 吴玉新薛成山庄惠照田德恒刘亦安孙莉莉王福学艾玉杰
- 关键词：磁控溅射氨化光致发光
- SiC/SiO_2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究被引量：7
- 2004年
- 采用 SiC/SiO_2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了 SiC/SiO_2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果表明,样品经高温退火后在 SiO_2基质中有 SiC 纳米颗粒形成。以 280 nm 波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的 365 nm 的紫外光发射以及 458 nm 和 490 nm 处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从 800℃升高至 1 050℃而增强。其发光归结为薄膜中与 Si-O 相关的缺陷形成的发光中心。
- 石礼伟李玉国王书运薛成山庄惠照
- 关键词：磁控共溅射光致发光
- 一种高压器件表面保护材料的研究被引量：1
- 1997年
- 本文报道了一种SM材料的制备、性能、钝化保护机理和试用结果．该材料具有优良的电性能、钝化保护性能、机械性能和化学稳定性，并经晶闸管生产线工艺论证及应用，能明显地减小漏电流，提高耐压水平和增加产品合格率．该项成果为高压电力半导体器件研究和生产提供了一种高性能的钝化保护材料，具有先进性和实用性．
- 刘秀喜薛成山孙瑛王显明庄惠照
- 关键词：高压器件
