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杨利

作品数:14 被引量:38H指数:4
供职机构:山东师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学农业科学更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇农业科学

主题

  • 6篇纳米
  • 6篇溅射
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 4篇射频磁控
  • 4篇射频磁控溅射
  • 4篇纳米线
  • 3篇氮化镓
  • 3篇氨化
  • 3篇衬底
  • 2篇氮化镓薄膜
  • 2篇SIC
  • 2篇GA
  • 2篇GAN纳米线
  • 2篇掺杂
  • 1篇氮化
  • 1篇电流放大
  • 1篇电流放大系数
  • 1篇电泳
  • 1篇荧光参数

机构

  • 14篇山东师范大学

作者

  • 14篇杨利
  • 11篇薛成山
  • 5篇庄惠照
  • 4篇魏芹芹
  • 3篇郭兴龙
  • 3篇王翠梅
  • 3篇修显武
  • 3篇王显明
  • 2篇李忠
  • 2篇孙振翠
  • 2篇安霞
  • 2篇裴素华
  • 2篇孙海波
  • 1篇董志华
  • 1篇李怀祥
  • 1篇于绥贞
  • 1篇高海永
  • 1篇周忠平

传媒

  • 2篇山东师范大学...
  • 2篇科学技术与工...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇Journa...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2004
  • 6篇2003
  • 4篇2002
  • 1篇2001
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
扩Ga基区高反压晶体三极管V—1特性分析
2002年
从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析。结果认为,负阻摆幅的大小对小电流注入下放大性能的优劣产生直接影响,而对发射极-收集极间的真正击穿电压并无减小损失;进一步证明了在SiO_2/Si系统中,开管扩Ga形成的晶体管,具有耐压高、漏电流小的特点。
修显武孙海波裴素华杨利周忠平郭兴龙
关键词:负阻效应击穿电压电流放大系数
氮化镓薄膜的研究进展被引量:12
2003年
主要讨论了III V族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题,并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景。
李忠魏芹芹杨利薛成山
关键词:氮化镓薄膜掺杂衬底缓冲层
Synthesis of GaN Nanorods with Herringbone Morphology
2003年
Hexagonal GaN nanorods are synthesized on quartz substrates through ammoniating Ga 2O 3 thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering.X ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy (SEM),high resolution transmission electron microscopy (HRTEM),and photoluminescence (PL) are used to analyze the synthesized GaN nanorods.Among the products,one dimensional GaN nanostructures owning protuberances on the surface are detected,which show interesting herringbone morphology.The analysis reveals that the herringbone GaN nanorods are polycrystalline composed of overlapping parallelepiped GaN nanocrystals arranged along the major axis.The large blue shift of yellow PL luminescence of the nanorods is observed at room temperature.
杨利庄惠照王翠梅魏芹芹薛成山
一维GaN纳米材料生长方法被引量:3
2004年
介绍了国际上近年来合成一维GaN纳米材料的研究情况,分析了模板限制生长法、基于VLS机制的催化反应生长法、氧化辅助生长法和两步模式生长法合成GaN纳米线的工艺特点,展望了GaN纳米线研究重点和方向。
李忠杨利薛成山
关键词:纳米材料氮化镓纳米线
两步生长模式合成一维GaN纳米结构和GaN晶体膜的研究
GaN是一种十分优异的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下,GaN的禁带宽度为3.4eV,是制作光电子器件,尤其是蓝、绿发光二极管/(LEDs/)和激光二极管/(LDs/)的理想材料...
杨利
文献传递
氨化反应自组装GaN纳米线被引量:4
2003年
通过氨化射频溅射工艺生长的纳米Ga2 O3薄膜 ,在石英衬底上反应自组装生成了高质量的GaN纳米线。用X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)和高分辨电镜 (HRTEM)对样品的组分、形貌和结构进行了分析。生成的GaN纳米线平直光滑 ,其直径为 2 0~ 12 0nm ,长可达 5 0 μm;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN ,沿 [110 ]方向生长。用此工艺制备GaN纳米线 ,简单新颖 。
王显明杨利王翠梅薛成山
关键词:GAN纳米线射频磁控溅射氨化
在(111)Si衬底上磁控溅射法制备纳米SiC薄膜被引量:7
2001年
用射频磁控溅射法在硅衬底上生长出纳米颗粒结构的碳化硅薄膜 .在N2 气氛下经 3h 110 0℃退火 ,用X射线衍射 (XRD)、付里叶红外吸收谱 (FTIR)、X光电子能谱 (XPS)、原子力显微镜 (AFM )对薄膜样品进行结构、颗粒大小、组分和形貌分析 。
安霞庄惠照李怀祥杨利修显武薛成山
关键词:磁控溅射光致发光SIC
高气密四十线VLSI玻璃陶瓷技术研究
庄惠照薛成山于绥贞王显明杨利
该研究是超大规模集成电路玻璃陶瓷生产中需要解决的关键技术,广泛应用与大中小玻璃陶瓷的封装,前景广阔,具有显著的效益。
关键词:
关键词:玻璃陶瓷
氮化镓薄膜研究进展被引量:6
2003年
介绍了GaN薄膜材料的主要性质 ,制备工艺 ,掺杂 ,衬底和缓冲层等相关问题 ,并概述了GaN基器件的研究现状 ,提出了目前GaN研究中所面临的主要问题 .
杨利魏芹芹孙振翠薛成山
关键词:氮化镓薄膜半导体光电子材料
花生phyA在干旱胁迫应答中的作用机理研究
花生是我国重要的油料作物,主要分布在干旱和半干旱地区,水资源严重匮乏已成为限制花生产量的重要因素。干旱不但影响花生从萌发到结实的生长发育过程,而且严重影响花生的品质和产量,因此,研究花生的抗旱机理,对培育花生抗旱品种,提...
杨利
关键词:花生干旱胁迫光敏色素荧光参数渗透调节物质
文献传递
共2页<12>
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