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王显明: 作品数：19 被引量：18H指数：3; 供职机构：山东师范大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金山东省科委基金山东省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

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半导体器件表面钝化保护材料及其制备与应用: 半导体器件表面钝化保护材料及其制备与应用，本发明属于半导体器件生产工艺中的一种表面钝化保护材料及其制备、应用，是将具负电荷效应的金属氧化物和二氧化硅按比例渗入有机硅漆中，均匀混合后成为糊状物，涂布在半导体器件表面上，形成...; 刘秀喜孙瑛薛成山王显明; 文献传递

Si(111)衬底上生长 GaN 晶环的研究(英文): 2004年; 利用热壁化学气相沉积在 Si(111)衬底上获得 GaN 晶环,采用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X 射线衍射(XRD),光致发光(PL) 谱和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对晶环的组成、结构、形貌和光学特性进行分析。初步结果证明:在 Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的 GaN 晶环。SEM 显示在均匀的薄膜上出现直径约为 10 μm 的 5 晶环,由 XRD 和 SAED 的分析证实晶环呈六方纤矿多晶结构,FTIR 显示 GaN 薄膜的主要成分为 GaN,同时含有少量的 C 污染,PL 测试表明晶环呈现不同于 GaN 薄膜的发光特性。; 王显明孙振翠魏芹芹王强曹文田薛成山; 关键词：氮化镓

镓在裸Si系和SiO_2/Si系掺杂效应被引量：5: 1997年; Based on the diffusion actuion of gallium in silicon and SiO2 ,a diffusion model of gallium doping in bare silicon system and SiO2/Si system is first presentd in this paper ,the gallium doping effect in the two systems is analyzed theoretically .Experiments and applications have proved that the use of the open-tube gallium deffusion in SiO2/Si system can substantially improve diffusion quality and device characteristics .; 刘秀喜薛成山孙瑛赵富贤王显明李玉国; 关键词：镓硅系

氨化反应自组装GaN纳米线被引量：4: 2003年; 通过氨化射频溅射工艺生长的纳米Ga2 O3薄膜 ,在石英衬底上反应自组装生成了高质量的GaN纳米线。用X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)和高分辨电镜 (HRTEM)对样品的组分、形貌和结构进行了分析。生成的GaN纳米线平直光滑 ,其直径为 2 0～ 12 0nm ,长可达 5 0 μm;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN ,沿 [110 ]方向生长。用此工艺制备GaN纳米线 ,简单新颖。; 王显明杨利王翠梅薛成山; 关键词：GAN纳米线射频磁控溅射氨化

高气密四十线VLSI玻璃陶瓷技术研究: 庄惠照薛成山于绥贞王显明杨利; 该研究是超大规模集成电路玻璃陶瓷生产中需要解决的关键技术，广泛应用与大中小玻璃陶瓷的封装，前景广阔，具有显著的效益。; 关键词：; 关键词：玻璃陶瓷

一种高压器件表面保护材料的研究被引量：1: 1997年; 本文报道了一种SM材料的制备、性能、钝化保护机理和试用结果．该材料具有优良的电性能、钝化保护性能、机械性能和化学稳定性，并经晶闸管生产线工艺论证及应用，能明显地减小漏电流，提高耐压水平和增加产品合格率．该项成果为高压电力半导体器件研究和生产提供了一种高性能的钝化保护材料，具有先进性和实用性．; 刘秀喜薛成山孙瑛王显明庄惠照; 关键词：高压器件

半导体器件表面钝化保护材料及其制备与方法: 半导体器件表面钝化保护材料及其制备方法。本发明属于半导体器件生产工艺中的一种表面钝化保护材料及其制备、应用，是将具负电荷效应的金属氧化物和二氧化硅按比例掺入有机硅漆中，均匀混合后成为糊状物，涂布在半导体器件表而上，形成钝...; 刘秀喜孙瑛薛成山王显明; 文献传递

VISI系统结构金属焊料研究: 薛成山庄惠照李怀祥王显明李玉国; 该研究是我国超大规模集成电路技术生产中需要解决的关键技术，具有显著的效益。; 关键词：; 关键词：焊料集成电路

CCD光学传递函数测量装置的研究被引量：5: 1995年; 使用光电耦合器件（简称ＣＣＤ），采用数学付立叶分析法建立了测量光学系统传递函数的计算机测量装置，并对多种影响测量结果准确度的因素进行了分析和修正，测量照相机物镜的光学传递函数的结果表明有较高的准确度和重复性。; 曹文田王显明庄惠照; 关键词：光学传递函数光电耦合器件

一种制造快速晶闸管的P型双质掺杂技术被引量：1: 1996年; 阐述了受主杂质在Ｓｉ中的扩散行为，快速晶闸管制造中的Ｐ型区掺杂工艺设计原理、掺杂方法和杂质浓度分布，并给出了该项技术在工艺生产线上应用结果．通过实验和应用表明，该项技术具有先进性和可行性。; 刘秀喜薛成山孙瑛孙瑛陈刚王显明; 关键词：晶闸管掺杂