杨莺歌
- 作品数：10 被引量：79H指数：5
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- GaAs(110)衬底GaN薄膜的制备与特性研究
- 本文报道了用溅射后退火反应法在GaAs(110)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,TEM测量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜.在室温下,PL测量发现位于368nm处的强光致...
- 杨莺歌马洪磊薛成山庄惠照郝晓涛马瑾
- 关键词：光致发光氮化镓薄膜
- 文献传递
- GaN纳米结构的制备被引量：6
- 2004年
- 提出一种通过对溅射Ga2 O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法 ,已成功地制备出GaN纳米线、纳米棒和纳米带。该方法既不需要催化剂 ,也不需要模板限制 ,不仅避免了杂质污染 ,而且简化了纳米结构的制造工艺 ,对于纳米结构的应用非常有利。利用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)和选区电子衍射 (SAD)研究了GaN纳米结构的形貌和晶格结构。结果表明GaN纳米结构是具有六角纤锌矿结构的GaN晶体 ,不存在Ga2 O3或Ga的其他相。研究结果证明在高温氮化过程中由于晶格缺陷的降低和晶化的改进能够得到高质量的GaN晶体。简要地讨论了GaN纳米结构的生长机制。
- 马洪磊杨莺歌薛成山马瑾肖洪地刘建强
- 关键词：GAN
- 氮化镓薄膜的制备与特性研究
- 在该论文中,我们首次采用后氮化法在不同衬底上制备出GaN薄膜,详细叙述了薄膜的制备过程,探索了薄膜的制备条件和工艺参数,并研究了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光特性,以及衬底材料、制备条件和测试条件对薄膜性质的影响.初步...
- 杨莺歌
- 关键词：GAN光致发光
- 文献传递
- 溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质被引量：4
- 2003年
- 报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜 .PL测量结果发现了位于 36 8nm处的室温光致发光峰 .
- 杨莺歌马洪磊薛成山庄惠照郝晓涛马瑾
- 关键词：溅射退火GAN薄膜光致发光
- 薄膜厚度对ZnO∶Al透明导电膜性能的影响被引量：29
- 2002年
- 铝掺杂的氧化锌 (ZnO∶Al)透明导电膜是采用射频磁控溅射法在有机衬底 (Polypro pyleneadipate,PPA)和Corning 70 5 9玻璃上制备的。详细研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Al薄膜具有 (0 0 2 )面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构 ,性能优良的薄膜电阻率在两种衬底上分别为 2 .5 5× 1 0 - 3 Ω·cm和1 .89× 1 0 - 3 Ω·cm ,平均透射率达到了 80 %和 85 %。
- 郝晓涛马瑾马洪磊杨莺歌王卿璞黄树来
- 关键词：ZNO:AL透明导电膜薄膜厚度柔性衬底铝掺杂电学性质
- 在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H_2退火效应被引量：10
- 2002年
- 用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响 .用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射 (XRD)、X光电子能谱 (XPS)、扫描电镜 (SEM)及原子力显微镜 (AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析 .结果表明 :高温退火后 Si C膜的晶化程度明显提高 。
- 安霞庄惠照杨莺歌李怀祥薛成山
- 关键词：磁控溅射碳化硅
- 柔性衬底氧化物半导体透明导电膜的研究进展被引量：15
- 2002年
- 回顾和评述了柔性衬底氧化物透明导电膜 (包括锡掺杂的三氧化二铟ITO薄膜、铝掺杂的氧化锌AZO薄膜等 )的研究进展情况。报道了在柔性衬底上制备的ITO膜、ZnO膜的光电性质对衬底种类、制备工艺以及制备参数的依赖关系 。
- 郝晓涛张德恒马瑾杨莺歌王卿璞程传福田茂华马洪磊
- 关键词：柔性衬底氧化物半导体透明导电膜
- 纳米光催化半导体二氧化钛薄膜
- 本文制备了TiO2薄膜，对其制备条件和特性进行了系统研究，并通过改性得到了具有持久超亲水性的纳米光催化薄膜。
一、用磁控溅射法制备了TiO2薄膜，并进行了多种方式的后处理。测量了薄膜的结构特性，观察了表面形貌，研究...
- 杨莺歌
- 关键词：光催化超亲水性二氧化钛薄膜
- 文献传递
- GaN薄膜的研究进展被引量：14
- 2004年
- 由于GaN薄膜有希望应用在紫外或蓝光发光器件、探测器以及高速场效应晶体管、高温电子器件,GaN材料是当前研究的一个焦点。本文简要介绍了GaN薄膜的制备、衬底选择、掺杂、缓冲层、发光机制和表征等方面的最新进展,指出GaN材料进一步发展需要解决的关键技术问题。
- 马洪磊杨莺歌刘晓梅刘建强马瑾
- 关键词：GAN薄膜发光机制
- Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性被引量：2
- 2002年
- 用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶.GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm.在354 nm处发现强室温光致发光峰,带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.
- 杨莺歌马洪磊郝晓涛马瑾薛成山庄惠照
- 关键词：SI(111)衬底GAN薄膜光致发光氮化镓薄膜硅衬底
